キオクシアが攻める「NANDとDRAMのあいだ」 NVIDIAと協業も：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

SCMといえば、これまでもいろいろありましたが。

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2025年6月16日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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キオクシアが攻める「NANDとDRAMのあいだ」　NVIDIAと協業も

　キオクシアホールディングス（以下キオクシアHD）が2025年6月5日に開催した経営方針説明会は、全43ページに及ぶ資料をもとに、同社幹部らが市場見通しや同社の経営指標、SSD事業およびフラッシュメモリ事業戦略、生産、投資戦略までそれぞれ詳細を説明。質疑応答を含めると約2時間に及ぶ盛りだくさんな内容となりました。EE Times Japanでは既に複数の記事でその内容をお届けしましたが、注目が集まったトピックの1つが、同社のストレージクラスメモリ（SCM）である「XL-FLASH」に関する戦略でした。

　SCMとは、簡単に言えばコンピュータのメモリ階層においてDRAMと（従来の）NAND型フラッシュメモリ（以下、NAND）の間にある性能差を埋めるメモリのことで、記憶容量当たりのコストではDRAMよりも低く、メモリアクセスの遅延時間（レイテンシ）はSSDよりも2桁〜3桁程度短いといったことが要求されます。

　キオクシアHDは現在、TLC（Triple-Level Cell）およびQLC（Quad Level Cell）のNANDをビジネスの軸としていますが、今後の事業拡大に向け新たなメモリの開発を加速。今回の説明会ではその1つとして「TLCのNANDとDRAMのレイテンシの差を埋めるSCM」であるXL-FLASHの開発を挙げました。

「DRAMのコストが高いという悩みを解決」、NVIDIAと協力