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5G-Advanced基地局用GaN増幅器モジュールを開発、三菱電機：小型モジュールで設置性も向上
三菱電機、5G-Advanced基地局用の7GHz帯GaN（窒化ガリウム）増幅器モジュールを開発、通信信号を用いて性能実証にも成功した。
5G-Advanced用の通信信号を使い性能実証にも成功
三菱電機は2025年6月、5G-Advanced基地局用の7GHz帯GaN（窒化ガリウム）増幅器モジュールを開発、通信信号を用いて性能実証にも成功したと発表した。
5Gの発展版となる5G-Advancedは、「高速大容量」「低遅延」「多数同時接続」を特長とし、2025年より段階的に導入が始まる。現行の4G／5Gで用いられている周波数帯に比べ、5G-Advancedは高い周波数帯（6.425G〜7.125GHz）を用いる。このため、配置する各アンテナの間隔が狭くなり、各アンテナと対で実装される増幅器モジュールの配置間隔も狭くなる。
そこで今回は、GaNトランジスタの寄生成分を整合回路の一部として利用する独自技術と、高い性能を備えたGaNトランジスタを採用し、電力効率が41％と極めて高い7GHz帯GaN増幅器モジュールを開発した。試作品の外形寸法は12.0×8.0mmと小型で、高密度実装が可能である。
開発したGaN増幅器モジュールの主な仕様は、周波数が6.8〜7.1GHz、電力効率41％／電力付加効率35％、出力電力は37dBm、電力利得は25dB、ACLR（隣接チャネル漏洩電力比）は−50dBcとなっている。
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