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パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問電子機器設計/組み込み開発メルマガ 編集後記

インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。

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 この記事は、2025年10月14日発行の「電子機器設計/組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan/EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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パワー半導体「技術革新の中心」Infineonフィラッハに訪問

 「世界最薄」20μmの300mmシリコン(Si)ウエハー、「世界初」の300mm 窒化ガリウム(GaN)、そして「世界最高の競争力」と称する8インチ炭化ケイ素(SiC)ファブでの量産――。パワー半導体最大手のInfineon Technologies(以下、Infineon)は近年、パワー半導体の主要3技術でそれぞれ先駆的な発表をし、業界にインパクトを与えました。

 そして、これらの技術開発において重要な役割を果たしているのが、オーストリアのフィラッハ拠点です。Infineonは今回、メディアおよびアナリストを対象としたイベントを同拠点で実施。筆者も唯一の日本メディアとして参加してきました。

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