Rapidus、千歳で製造した2nm GAAトランジスタの試作品を初展示：SEMICON Japan 2025（1/2 ページ）

[浅井涼，EE Times Japan]

　Rapidusは「SEMICON Japan 2025」（2025年12月17〜19日）に出展し、北海道千歳市の開発／製造拠点「IIM（イーム）」で製造した2nm GAA（Gate All Around）トランジスタや600mm角 再配線層（RDL）インターポーザーパネルの試作品を展示した。

2nm GAAトランジスタの消費電力は7nm FinFETの4分の1

　Rapidusは2025年6月16日、北海道千歳市に構える開発／製造拠点「IIM（イーム）」の前工程パイロットラインに初めてウエハーを投入。同月28日には最初の2nm GAAトランジスタの試作品が完成し、動作を確認した。IIMで製造した試作品の実物を展示会などで展示するのは初めてだといい、ブースには人だかりができていた。

2nm GAAトランジスタの試作品［クリックで拡大］

　ブースでは試作品の実物展示に加えて、ディスプレイで2nmプロセスやGAA構造の利点の解説も行った。2008年ごろの最先端プロセスだった40nmのプレーナー型トランジスタと比べると、2nm GAAトランジスタは消費電力を約20分の1まで削減できる。2018年ごろの最先端プロセスだった7nmのFinFETと比べても約4分の1だ。

トランジスタの構造［クリックで拡大］ 出所：Rapidus

トランジスタ構造による消費電力の違い［クリックで拡大］ 出所：Rapidus