Rapidus、千歳で製造した2nm GAAトランジスタの試作品を初展示：SEMICON Japan 2025（2/2 ページ）

Rapidusは「SEMICON Japan 2025」（2025年12月17〜19日）に出展し、北海道千歳市の開発／製造拠点「IIM（イーム）」で製造した2nm GAA（Gate All Around）トランジスタや600mm角 再配線層（RDL）インターポーザーパネルの試作品を展示した。

[浅井涼，EE Times Japan]

60mm角RDLインターポーザーパネルの試作品も展示

　後工程では、チップレットパッケージに用いるRDLインターポーザーの開発を行っている。82mm角のインターポーザーの取り数は、300mmウエハーでは4枚だが、600mm角パネルでは49枚と、10倍以上に増加する。そのため、Rapidusは600mm角のRDLインターポーザーパネルの開発を行っていて、ブースではその試作品の実物や、チップレットパッケージの構造模型などを展示した。

インターポーザー開発の進化［クリックで拡大］ 出所：Rapidus

60mm角RDLインターポーザーパネルの試作品［クリックで拡大］ 出所：Rapidus

　RDLインターポーザーの製造においては、ガラスキャリア上に配線を形成し、必要に応じて微細配線用のチップであるブリッジチップを埋め込んだ後、上層配線を形成する。その後、上層と下層を接合するためのピラー形成、ブリッジチップ搭載、樹脂封止、研磨、配線層形成、パッド形成を行い完成となる。その後さらに、RDLインターポーザーにロジックやメモリを搭載後、ガラスキャリアを剥がして有機基板に接続し、モールドで封止して、RDLインターポーザーのチップ実装工程は完了だ。

チップレットパッケージの構造模型［クリックで拡大］ 出所：Rapidus

　Rapidusは、2027年に前工程の、2027年後半〜2028年前半に後工程の量産開始を目指す。