経産省、Rapidusに6315億円追加支援 「国益のため必ず成功」:支援額は総額2兆3540億円に(1/2 ページ)
Rapidusは2026年4月11日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から2つのプロジェクトで2026年度の計画と予算が承認されたことを発表した。支援上限額は前工程が5141億円で後工程が1174億円、総額6315億円になる。同日に北海道千歳市で実施された解析センター、Rapidus Chiplet Solutions(RCS)の開所式に参加した赤澤亮正経済産業大臣も、本件に言及した。
前工程5141億円、後工程1174億円の総額6315億円を承認
経済産業省は2026年4月11日、Rapidusに対する6315億円の追加支援を発表した。2026年度の支援上限額は前工程が5141億円で後工程が1174億円、総額6315億円。今回の支援によって、政府からRapidusへの研究開発支援額は総額2兆3540億円になる。
Rapidusは新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)から、「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」および「2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発」で採択を受けている。Rapidusは2026年4月11日、これらについて2026年度の計画と予算が承認されたと発表した。
日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発は、2022年11月に次世代半導体の研究プロジェクトとして採択され、その後年度ごとに計画と予算が承認されてきた。2025年度には2nm世代半導体の選考評価用PDK(Press Design Kit)開発や生産パイロットラインの立ち上げを開始、2nm GAA(Gate All Around)トランジスタの動作確認成功などを実施し、目標を達成したという。
2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発は2024年3月から採択されている。2025年度はセイコーエプソン千歳事業所内に後工程の研究開発拠点「Rapidus Chiplet Solutions(RCS)」を設置し、量産化技術確立のためのパイロットラインを構築。600mm角再配線層(RDL)インターポーザーパネルの試作や、2.xD/3Dパッケージ技術の要素プロセス技術確立、設計のレファレンスフロー構築などを行った。
2026年度の承認を受けて、前工程では2nm世代半導体のPDKリリースや、短TAT生産システムに必要な装置などをパイロットラインに実装/検証すること、歩留まり向上施策を進めて欠陥密度の年度内目標を達成することを目標とする。
後工程ではRCSパイロットラインを本格稼働させ、600mm角パネルでの有機絶縁膜RDLインターポーザー開発などの2.xD/3Dパッケージ製造技術開発や、顧客向けのデザインキット開発など、アプリケーションごとに最適な高効率/高性能チップレットパッケージの設計およびテスト技術開発を行うとしている。
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