ロームが第5世代SiC MOSFET、高温時のオン抵抗30％低減：車載機器や産業機器向け

ロームが同社にとって第5世代「SiC MOSFET」を開発した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

第5世代SiC MOSFET搭載のディスクリートやモジュールも提供

　ロームは2026年4月、同社にとって第5世代となる「SiC MOSFET」を開発したと発表した。第4世代品に比べ高温動作時のオン抵抗を約30％低減した。電動車（xEV）用トラクションインバーターやAIサーバ用電源などの用途に向ける。

［クリックで拡大］ 出所：ローム

　同社は2010年にSiC MOSFETの量産を始めた。2020年には第4世代となるSiC MOSFETを開発し、車載機器や産業機器に向けて供給してきた。今回発表した第5世代品では、素子構造を見直すとともに、製造プロセスの最適化を図った。これによって高温動作時（ジャンクション温度：175℃）のオン抵抗値を低減することに成功した。高温環境で使用される車載用途などにおいて、ユニットの小型化や高出力化に対応できるという。

　第5世代SiC MOSFETは、2025年からベアチップのサンプル出荷を始めていて、2026年3月に開発を終えた。2026年7月からは第5世代SiC MOSFETを搭載したディスクリートやモジュールのサンプル供給も開始する。第5世代SiC MOSFETは今後、耐圧やパッケージなどの仕様について、シリーズ展開を図る予定だ。

高温動作時のオン抵抗を低減［クリックで拡大］ 出所：ローム

　第5世代SiC MOSFETについては、xEV用トラクションインバーターや車載充電器（OBC）DC-DCコンバーターなどの車載機器を始め、AIサーバやデータセンター向け電源、太陽光発電インバーターといった産業機器などの用途に提案していく。