キオクシアが第10世代BiCS FLASHで332層を選んだ理由：「過度な高積層化には課題」（1/3 ページ）

キオクシアホールディングスのメモリ事業部長である井上敦史氏が、第10世代「BiCS FLASH」の開発状況や主要性能、技術的な狙いなどについて語った。

[永山準，EE Times Japan]

　キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）のメモリ事業部長である井上敦史氏が、第10世代「BiCS FLASH」の開発状況や主要性能、技術的な狙いなどについて語った。第10世代BiCS FLASHの1Tビット TLC製品は現在、開発の最終フェーズにあるといい、2026年夏頃にサンプル出荷予定だ。

26年度末にはNAND出荷量の8割が第8世代に

　キオクシアHDが2026年6月2日に開催した投資家向け説明会「Investor Day」で、井上氏が語った。

キオクシアホールディングスのメモリ事業部長である井上敦史氏 出所：キオクシアホールディングス

　同氏はまず、現行の主力製品である第8世代BiCS FLASHについて説明。第8世代では、メモリセルアレイを形成したウエハーと、CMOS回路を形成したウエハーを別々に加工し貼り合わせることで熱処理を最適化できる「CBA（CMOS directly Bonded to Array）」技術を採用。「業界最高水準」（同社）という性能や容量、電力効率を実現している。

　また、第8世代品では業界に先駆けて32ダイ積層パッケージ技術も実用化。1パッケージ当たり8Tバイト（TB）を実現し、245TB SSD「LC9シリーズ」の実現にもつながっていることも強調した。

　第8世代品は現在、多数のプロジェクト向けに量産を拡大していて、2026年度末には同社のNAND出荷量の約80％が第8世代品になる見込みだという。

大容量／高密度化の第10世代、AI推論市場向けに

　キオクシアHDは、この第8世代BiCS FLASHをベースとし、AI時代のニーズに応えるため「大容量／高密度化」と「高性能化」の2軸戦略を進めている。この戦略は2025年6月の経営方針説明会でも説明したものだ。

　大容量／高密度化においては、従来通り、高積層化と平面方向の縮小を組み合わせることで、高ビット密度／大容量化を進めた第10世代およびその先の第11世代品などを開発していく。これらは主にエンタープライズ／データセンターSSDの市場ニーズ応えるものになるとしている。一方、高性能化では、第9世代品やその先の第Y世代において、積層数を抑えたセル技術と最新CMOS技術を組み合わせることで高性能化を実現。主にAI搭載のPCやモバイル機器向け市場を狙う。

BiCS FLACHのロードマップ［クリックで拡大］ 出所：キオクシアホールディングス

　今回説明の中心となったのは、次世代のAI推論市場を主なターゲットとする第10世代BiCS FLASHだ。