「半導体業界は黄金期」 TSMCが語る最新ロードマップ：「A13」「A12」を29年量産へ（2/3 ページ）

TSMCは、顧客向け技術イベントで最新のテクノロジーロードマップについて説明した。2028年に第2世代GAAナノシート技術「A14」、2029年に「A13」「A12」の量産を予定するほか、「CoWoS」「SoIC」などのパッケージング技術の開発も加速する。

[浅井涼，EE Times Japan]

29年に「A12」「A13」量産へ　CFETの実証も進む

　こうして増大する演算需要を支えるのが先端プロセスのロジック半導体だ。TSMCが技術ロードマップにおいて重視する点として、Zhang氏は「予測可能性」を挙げた。予測可能性とは、顧客が製品開発の計画を立てやすいよう、TSMCが一定のサイクルで新技術を提供することだ。

TSMCの技術ロードマップ［クリックで拡大］ 出所：TSMC

　TSMCで初めてGAA（Gate-All-Around）ナノシートトランジスタを採用した2nm世代の「N2」は、2025年第4四半期に量産を開始した。強化版である「N2P」は2026年下半期に量産を開始する予定だ。裏面電源供給技術「Super Power Rail」を採用した1.6nm世代の「A16」も、2026年下半期に量産体制が整うという。

　2027年には高周波性能を強化した「N2X」を量産する。2028年には、N2Pを強化した「N2U」と、第2世代GAAナノシート技術を採用した「A14」の量産を予定している。N2UはN2Pに比べ、同一消費電力で性能が3〜4％向上し、同一速度では消費電力を8〜10％削減する。A14は、N2に比べて同一消費電力で性能を最大15％高めるほか、同一速度では消費電力を最大30％削減する。ロジック密度は約1.23倍になるという。

　2029年には、A14のダイレクトシュリンク版である「A13」と、Super Power Railを搭載する「A12」の量産を開始する計画だ。A13はA14との設計ルールの互換性を維持しながら、面積を6％削減し、電力効率や性能をさらに向上させる。顧客はA14向けの設計資産を活用し、比較的短期間でA13へ移行できる。

「A13」の概要［クリックで拡大］ 出所：TSMC

　ナノシートトランジスタの先を担う構造としては、n型FETとp型FETを垂直方向に積層する「CFET」を挙げた。TSMCは既に、従来のナノシート設計と比べて面積を約30％縮小した6T SRAMビットセルや、約1000個のトランジスタで構成するCFETリングオシレーターを実証している。