Intelが高NA EUV露光装置を量産導入 Intel 18Aの一部レイヤーに適用：ASMLが公表

[永山準，EE Times Japan]

　ASMLは2026年7月15日（オランダ時間）、Intel FoundryがASMLの高開口数（NA） EUV（極端紫外線）露光装置を用いて製造したロジック半導体の量産出荷を開始したと発表した。「Intel 18A」プロセスを採用する「Intel Core Ultra Series 3」プロセッサの一部製品において、特定のレイヤーの露光に高NA EUV露光装置を適用。既に顧客へと出荷されているという。ASMLは「このマイルストーンは、量産環境における高NA EUV対応を実証する上で重要な一歩になる」などと述べている。

　量産出荷が始まったIntel Core Ultra Series 3は同社が2026年1月に正式発表した製品で、Intelの先端プロセスIntel 18Aで製造される。ASMLによると、米国オレゴン州の拠点において、Intel 18Aの特定レイヤーが高NA EUVによるデュアル認定が完了し「NXEプラットフォームと同等の歩留まりで、顧客への出荷が開始されている」という。今回の適用を通じ、IntelとASMLは装置のセットアップや稼働率、製造フローに関するデータを取得し、高NA EUVのより広範な適用拡大につなげる考えだ。

　Intel FoundryのエグゼクティブバイスプレジデントであるNaga Chandrasekaran氏は「今回の成果はIntelとASMLによる緊密な技術協力の成果であり、高NA EUVを先端半導体製造へ大規模に統合できることを示した」と強調。さらに「Intel 18Aの一部レイヤーで高NA EUVプロセスオプションの認定を完了したことで、既存装置群によるスループット向上を図りながら、今後のプロセスノードに向けて性能やトランジスタ密度、製造柔軟性をさらに高める選択肢を開発していくことができる」と強している。

　ASMLの社長兼CEOであるChristophe Fouquet氏は「解像度の向上と優れたプロセス制御により、高NA EUVは半導体リソグラフィーにおける大きな進歩となる。AIをはじめとする次世代技術の発展を加速する、より微細で高密度なパターン形成を可能にする」とコメントしている。

　Intelは2024年、米国オレゴン州ヒルズボロの研究開発拠点に、ASMLの高NA EUV露光装置プロトタイプの「TWINSCAN EXE:5000」を業界で初めて導入した。その後2025年には、1時間当たり175枚以上のウエハー処理が可能で、TWINSCAN EXE:5000と比較して約60％生産性を向上する量産機「TWINSCAN EXE:5200B」を業界で初めて導入し、受け入れ試験を完了した。そして今回の発表によって「Intel Foundryは業界で初めて高NA EUVを用いたロジック製品を量産出荷することになった」（ASML）としている。