インフィニオン、800VDC AIデータセンター用SSCB開発強化:ソーラーエッジと協業拡大
インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies(以下、ソーラーエッジ)との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)の技術開発を加速させる。
よりコンパクトで高密度なDC配電設計を可能に
インフィニオン テクノロジーズは2026年9月、SolarEdge Technologies(以下、ソーラーエッジ)との協業を拡大すると発表した。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー(SSCB)の技術開発を加速させる。
ソーラーエッジは、DC結合型パワーエレクトロニクス分野での納入実績をベースに、AIファクトリーに向けた800VDCパワートレインの開発を行っている。一方、インフィニオンは炭化ケイ素(SiC)JFETなどのパワー半導体を手掛けている。これらを組み合わせ、よりコンパクトで高密度なDC配電設計を行っていく。
今回の協業では、ソーラーエッジのSSTプラットフォームにインフィニオン製のSiC JFETを採用する。SSTは中電圧(13.8〜34.5kV)から800〜1500VDCへの直接変換を、90%超という効率で実現できるよう設計されている。
ソーラーエッジのCEOを務めるShuki Nir氏は「ソリッドステート保護は、変換効率を損なうことなく、超高速で信頼性の高い故障切り離しを可能にする。それを大規模に実用化できるのがインフィニオンのSiC技術だ」とコメントした。
インフィニオンのインダストリアル&インフラストラクチャ担当エグゼクティブバイスプレジデント兼チーフセールスオフィサー(CSO)のAndreas Weisl氏は「よりスマートで高速かつ堅固な配電システムの需要が高まっている。両社の専門性を組み合わせることで、AIデータセンターにおける高速で安全かつ信頼性の高い運用を実現していく」と述べた。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
「先の見えない時代にRISC-Vは最適」 SDVでの標準化目指すInfineon
インフィニオン テクノロジーズ ジャパン(以下、インフィニオン)は2026年7月、「インフィニオンRISC-Vセミナー2026」を開催した。基調講演の「SDV時代の車載開発に向けたRISC-V導入戦略」では、Infineonが進めるRISC-Vエコシステムなどが紹介された。
MediaTek、インフィニオンの車載NORフラッシュを認定
インフィニオン テクノロジーズの車載グレード512MビットNOR Flashメモリが、MediaTekの車載コックピットプラットフォーム「C-X1」用メモリに認定された。
Infineonがノーマリオフ対応SiC JFET、AIデータセンター向け
インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。
インフィニオンがTLVR統合パワーモジュール AIプロセッサ向け
インフィニオン テクノロジーズは、次世代AIコンピューティングに向けて、TLVR(トランスインダクタンス電圧レギュレーター)搭載の4相パワーモジュール「TDM24745T」を発表した。小型パッケージを採用しながら、業界最高水準の電流密度を実現した。
再エネの高電圧化に DC1500V対応SiCモジュール、Infineon
インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは「第40回 ネプコン ジャパン -エレクトロニクス 開発・実装展-」に出展し、再生可能エネルギー向けの高耐圧な炭化ケイ素(SiC)モジュールやハイエンド電気自動車(EV)向けのオンボードチャージャー(OBC)リファレンスデザインを紹介した。
Infineonが車載RISC-Vマイコンをアピール 「日本のティア1は特に関心が高い」
Infineon Technologiesの日本法人であるインフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2025年9月30日、日本の顧客向けに「RISC-Vマイコンと車載アプリケーションの未来:インフィニオンのビジョンとエコシステムの構築」と題したセミナーイベントを開催。自動車メーカーやティア1メーカーなどの関係者が集まった。

