中国のDRAM大手CXMT、NANDフラッシュに参入か：大手2社が互いの領域へ（2/3 ページ）

中国のDRAM大手ChangXin Memory Technologies（CXMT）が、NANDフラッシュメモリ市場への参入を検討しているという。AIサーバ需要を背景にメモリ不足が続く中、NAND大手Yangtze Memory Technologies Corp（YMTC）もDRAMへの参入を模索していて、中国の大手メモリ2社が互いの事業領域へ進出する動きが進んでいる。

[Majeed Ahmad，EE Times]

フラッシュメモリ市場における絶好のチャンス

　CXMTとYMTCが互いのメモリ領域へ進出しつつある動きを詳しく見ると、その意味は、中国国内市場で直接的な競争が激化することだけにとどまらない。CXMTがNAND市場へ参入すれば、必然的に、国内での製造装置の配分やクリーンルーム用装置の割り当て、地域の機関から供給される専門技術人材などを巡って摩擦が生じる可能性がある。しかし一方で、中国のメモリ需要家にとっては、単一サプライヤーに依存する脆弱性を排除することにもなる。

　メモリ大手のSamsung Electronics（以下、Samsung）とSK hynixは、DRAMとNANDの両市場において支配的地位を維持している。Micron Technology（以下、Micron）もこれに続いているが、同社は当初、NAND分野において後れを取っていた。Samsungのような半導体メーカーは、DRAMとNANDの両方のポートフォリオを保有することで、DRAMとNANDの間で投資先を機動的に切り替え、市場低迷の影響を吸収できる。

　CXMTとYMTCは、大手ライバルであるMicronやSamsung、SK hynixと同じように、DRAMとNANDを一括して供給できる「ワンストップショップ」になりたいと考えているようだ。また、業界の経営幹部によると、AIサーバ需要によって生じた世界的なメモリ不足は、少なくとも2027年いっぱいは続く見込みであることから、参入のタイミングとしては申し分ない。

　CXMTとYMTCはいずれも、メモリ供給が依然として逼迫する中で、積極的に価格競争を繰り広げることで世界市場シェアを伸ばす可能性がある。しかし、朝鮮日報によると、これは目先の供給不足への対応というより、世界のライバル企業にとっては長期的な競争上の脅威になるという。

　現在、3大メモリメーカーであるMicronとSamsung、SK hynixが、DRAMと広帯域メモリ（HBM）への設備投資を最優先している中、NANDの生産能力拡大が抑えられ、同分野で供給不足が深刻化している状況は、中国最大のメモリ半導体メーカーにとって絶好のチャンスだといえる。

　しかし問題なのは、この計画がどこまで実現可能なのかという点だ。CXMTは商業生産能力の目標値や生産スケジュールなどを公表していない。