中国のDRAM大手CXMT、NANDフラッシュに参入か：大手2社が互いの領域へ（3/3 ページ）

中国のDRAM大手ChangXin Memory Technologies（CXMT）が、NANDフラッシュメモリ市場への参入を検討しているという。AIサーバ需要を背景にメモリ不足が続く中、NAND大手Yangtze Memory Technologies Corp（YMTC）もDRAMへの参入を模索していて、中国の大手メモリ2社が互いの事業領域へ進出する動きが進んでいる。

[Majeed Ahmad，EE Times]

CXMTはNAND参入を実現できるか

　見たところ、CXMTのNAND計画はまだ進行中の段階にあるようだ。NANDは、半導体業界の中でも極めて資本集約度が高い事業だ。DRAMとは異なる製造装置の構成や材料サプライチェーンが必要なほか、特許体系も異なる。

　NAND製造には、専用のプロセス技術や製造装置、品質管理、長期にわたる設計検証などが必要なので、研究開発ラインから商業的に競争力のある量産への移行には、技術面／資金面で大きな課題がある。

NAND製造では、積層膜の成膜、チャネルエッチング、ワードラインの埋め込みなどが課題となる［クリックで拡大］ 出所：SemiAnalysis

　CXMTは新規株式公開（IPO）で大きな成功を収め、多額の資金を確保したが、米国の輸出規制が課される中、先端半導体製造装置へのアクセスには依然として課題がある。また技術面では、DRAM製造から垂直型3D NAND製造への移行によって、製造上の大きな困難が生じる。DRAMは、極小寸法で高密度なキャパシターアレイを形成する上で、平面方向の高精度なフォトリソグラフィを必要とする。一方で3D NANDデバイスは、構造を垂直方向に積層して製造するものだ。

　このためCXMTは、過去10年間をかけて競争力のあるDRAM技術を開発してきたが、この先さらに10年程度をかけて、DRAMの枠を超えてNAND分野へと拡大していく可能性が高い。また、このようなフラッシュメモリ分野への戦略的拡大は、重要なサプライチェーン全体で半導体分野の自立性を高めようとする中国本土のより広範な取り組みにおいて、1つの転換点となる。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】