HPのタブレット「TouchPad」はQualcommのチップを多数採用、コストは32Gバイト機で318ドル：製品解剖（2/2 ページ）

Hewlett-Packard（HP）初のタブレットPC「TouchPad」を分解したところ、QualcommがアプリケーションプロセッサとパワーマネジメントIC、Wi-Fiチップを供給していることが明らかになった。プロセッサは、Qualcommがタブレットを想定して開発したもので、自社のGPUコアを混載しており、同社のプロセッサ製品群「Snapdragon」の第3世代品に相当する。

[EE Times]

　IHS iSuppliはTouchPadの弱みとして、8.8mmと薄い「iPad 2」に比べて13.7mmとかなり厚い点や、3G携帯電話の通信機能に対応していない点を指摘した。その一方で、WebOSを採用している点や、電磁誘導方式のワイヤレス充電器を内蔵した点などを挙げ、競合にAndroid OSベースの製品が増えている中で大きな差別化になると評価した。

　UBM TechInsightsで、これまでにMotorolaの「XOOM」やSamsung Electronicsの「GALAXY Tab」、RIM（Research in Motion）の「BlackBerry PlayBook」と各社のタブレットの分解解析を手掛けたアナリストは、「タブレット市場は既に飽和状態にある」との見方を示している。参入企業は増えているものの、今もなおAppleがiPadで圧倒的なシェアを占めているという。

　IHS iSuppliで分解サービスのシニアディレクターを務めるAndrew Rassweiler氏は、同社の報道発表資料の中で、TouchPadの機械設計について、「iPad 2の筐体がアルミニウム製であるのに対し、TouchPadの筐体はプラスチック製だ。そのため剛性面で劣る上に、内蔵部品を実装するためにフレームを別に用意する必要がある」と述べている。

　さらに同氏は、「これにより、TouchPadは厚みや周縁部のサイズが大きくなってしまった」と付け加えた。その半面、「このように厚みのある設計になっているため、iPadで見受けられたような非標準的なパッケージや部品、プリント基板を採用する必要はなかったはずだ。従ってHPは、設計プロセスを簡略化できた他、設計上の選択肢も増やすことができただろう」と続けている。

　また、IHS iSuppliの分解により、TouchPadにSanDiskのフラッシュメモリ「iNAND」（価格は約45米ドル相当）が搭載されていることが判明した。その他、Samsung Electronicsのモバイル向けDDR2 SDRAMが内蔵されていることも分かった。その記録容量は一般的なタブレットの2倍に相当する1Gバイトである。価格は約26米ドルと推定される。

　IHS iSuppliのRassweiler氏は、「記録容量当たりのメモリコストは低下し続けているため、タブレットのDRAM容量は今後、1Gバイトが標準になるだろう」と述べている。

　上記の他に主要チップのデザインウインを獲得した企業の1つがCypress Semiconductorだ。TouchPadには、同社のタッチスクリーンコントローラが6個搭載されており、それらの合計価格は11.75米ドルとみられる（図3）。

図3　TouchPadのタッチスクリーンボード　マスターコントローラ（紫色のマーキング）が1つ、スレーブコントローラ（赤色のマーキング）が5つ実装されている。いずれもCypress Semiconductorの製品だ。出典： UBM TechInsights

　UBM TechInsightsが発表した、TouchPadに搭載された主な構成部品のリストは以下の通りである。

• Qualcommのデュアルコアプロセッサ「APQ8060」
• QualcommのパワーマネジメントIC「PM8058」
• Qualcomm AtherosのIEEE 802.11b/g/n対応Wi-Fiコントローラ「AR6003」
• QualcommのパワーマネジメントIC「PM8901」

• SanDisk/東芝のNANDフラッシュメモリ「SDIN4C2-16GB」（16Gバイトのマルチチップ品）
• Samsung Electronicsのモバイル向けDDR2 SDRAM「K4P8G304EC」（1Gバイト）

• Texas InstrumentsのFlatLink対応トランスミッタ「SN75LVDS83B」
• Texas InstrumentsのパワーマネジメントIC「TPS8903AE」
• Texas Instrumentsのパワーマネジメントユニット「TPS99003B5A」
• Texas InstrumentsのMOSFET「CSD25401」
• Texas InstrumentsのMOSFET「CSD75211W1723」

• Texas Instruments のDC-DC昇圧レギュレータ「TPS61032」
• Texas Instruments のDC-DCコンバータ「TPS61187」
• Texas Instrumentsのパワーマネジメントユニット「TPS99003B5A」

• Invensense の3軸デジタルジャイロスコープ「MPU-3050」

• Wolfson Microelectronicsのマルチチャネル・オーディオコーデック「WM8958E」
• CSRのBluetooth 2.1+EDR対応トランシーバ「BC63B239A04」
• STMicroelectronicsの3軸加速度/3軸磁力センサー「LSM303DLH」

• National Semiconductorの照明管理ユニット「LM8502」

• Cypress Semiconductorのタッチスクリーン・スレーブコントローラ「CY8CTMA375」
• Cypress Semiconductorのタッチスクリーン・マスターコントローラ「CY8CTMA395」

＜訂正＞記事の掲載当初、最後に掲載した部品リスト中、Samsung Electronicsのモバイル向けDDR2 SDRAMの容量を8Gバイトとしていましたが、これは誤りで、正しくは1Gバイト（8Gビット）でした。お詫びして訂正いたします。また、この訂正に併せて、当初文中で「8Gビット」と記述していたところを、「1Gバイト」に表現を改めました。上記記事はすでに訂正済みです。