Samsung Electronics、20nmクラスの製造技術を適用したNANDフラッシュの量産を開始：メモリ/ストレージ技術

Samsungが、20nmクラスのプロセス技術を採用したNANDフラッシュメモリの製造を開始した。来年には、10nmクラスの製造技術を用いたメモリの製造にも着手する予定だという。

[Dylan McGrath，EE Times]

　Samsung Electronicsは2011年9月21日、韓国 京畿道（キョンギド）にある同社のNano City Complexにおいて、NAND型フラッシュメモリ（以下、NANDフラッシュ）の新しい製造工場である「Line-16」の稼働を開始したと発表した。また、20nmクラス（20nm〜29nm）の製造技術を適用したDDR3 DRAMの量産を開始したことも明らかにした。20nmクラスのプロセスによるDDR3 DRAMの製造は、同社の別の工場で行う予定だという。

　同社の会長を務めるKun-hee Lee氏は、新工場のオープニングセレモニーにおいて、「現在の半導体業界は、激しい変動を繰り返す時代にある。こうした中で当社は、メモリ製造工場を新設し、20nmクラスの製造技術を適用したDRAMの量産を開始するに至った。これにより当社は、重要なマイルストーンを達成するとともに、業界におけるリーダーシップを強化することができた」と述べている。Samsungによると、このオープニングセレモニーには、同社の経営上層幹部をはじめ、約500名が来場したという。

　同社は、Line-16の建設に12兆ウォン（約102億米ドル）を投じた。2010年5月に着工し、1年後の2011年5月に設備の導入が完了している。2011年6月に試運転を開始し、同年8月には量産体制を整えた。そして2011年9月に、20nmクラスの製造技術を適用した高性能NANDフラッシュの量産開始にこぎ着けた。Line-16の300mmウェーハ処理能力は、1万枚/月を上回る見通しだ。

　Samsungは今後、NANDフラッシュの生産量を拡大し、市場の需要に応えたいとしている。また2012年には、10nmクラスの製造技術を適用した高密度および高性能のメモリチップの製造にも着手する予定だという。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】