ARMとGLOBALFOUNDRIES、20nm FinFETプロセス技術の共同開発で合意：ビジネスニュース 企業動向

2012年7月にFinFETプロセス技術についてTSMCとの提携を発表したARMだが、GLOBALFOUNDRIESともFinFETプロセス技術の共同開発を行うという。

[Peter Clarke，EE Times]

　ARMとGLOBALFOUNDRIESは、20nm世代のFinFETプロセス技術の共同開発に合意したと発表した。同プロセスを適用したSoC（System on Chip）プロセッサ（グラフィックスプロセッサを含む）の設計を最適化することが狙いで、複数年にわたって提携するという。

　この合意により期待される成果の一つとして、20nm世代のプレーナ型プロセスからFinFETプロセスへの迅速な移行が挙げられる。ただし両社は、20-LPMプロセスまたはFinFETプロセスの商業的な導入スケジュールについては明らかにしなかった。なお、20-LPMとは、小型/低消費電力のチップに向けた、GLOBALFOUNDRIESの20nm世代のプロセス技術である。

　今回の提携合意の数週間前となる2012年7月には、ARMとTSMCが、20nm FinFETプロセス技術を64ビットのARMプロセッサ向けに最適化すべく、協力関係を継続することを発表している。

　ARMとGLOBALFOUNDRIESの合意では、FinFETプロセス技術と20-LPMプロセス技術の双方を扱っている。

　ARMは今回、GLOBALFOUNDRIESの製造プロセスに対応したフィジカルIP（Intellectual Property）「Artisan」のプラットフォームを開発することに合意した。このフィジカルIPには、スタンダードセルライブラリやメモリコンパイラ、「POP（Processor Optimization Pack）」が含まれる。

　ARMとGLOBALFOUNDRIESは過去数年にわたり、ARMのプロセッサ「Cortex-A」シリーズの開発で協力関係にある。28nmプロセス技術の実証の他、米国ニューヨーク州マルタにあるGLOBALFOUNDRIESの製造施設で20nmプロセスを用いたテストチップの製造も行っている。

　ARMでプロセッサフィジカルIP部門のエグゼクティブバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるSimon Segars氏は、報道発表資料の中で、「今回のように早い段階で提携に合意することで、ARMとGLOBALFOUNDRIESの技術を、重要な市場をターゲットとしたSoCに速やかに導入できる。両社が20-LPMやFinFETといった次世代のプロセス技術で協力することにより、2世代以上にまたがる最先端の半導体デバイスの実装オプションを、顧客に提供できるようになる」と述べた。

【翻訳：清藤康司、編集：EE Times Japan】