ムーアの法則はもう限界？ リソグラフィ技術開発が追い付かず：ビジネスニュース 業界動向（2/2 ページ）

半導体の技術革新の源となってきたムーアの法則だが、さすがに限界が見え始めている。その原因の1つがリソグラフィ技術開発の遅れだ。

[Rick Merritt，EE Times]

　例えばSRAMは、EUVリソグラフィ技術なくしては、14nmに微細化することは不可能だと言われている。これは、各機能の回路を隣接して配置するには、マルチパターニングでは限界があるためだ。

　Ronse氏は、「EUVリソグラフィ技術が確立されれば、ムーアの法則に追い付くことができる。現在、EUVリソグラフィ用の光源は、さまざまな材料を使って開発が進められている。近い将来、EUVリソグラフィ技術が確立されることは間違いないが、2年以内の実用化はかなり厳しい」と述べている。

　IntelとTSMCは最近、EUVリソグラフィ技術の実用化に向け、ASMLに数十億米ドルの投資を行うことを明らかにした。

　またIntelは、2013年に14nmノード、2015年に既存の液浸リソグラフィ技術で10nmノードを実用化する計画も明らかにしている。Intelは、「EUVリソグラフィ技術の導入が2015年に間に合わない場合、液浸リソグラフィのパターニングを従来の5倍に増やして回路パターンを形成する」としている。この方法には時間とコストがかかるが、それでも半導体製造の効率化は図れるという。

　IMECはASMLのNXE 3100の導入以降、現在までにスループットを60％以上高めたという。Ronse氏によると、「最初の6カ月は安定した精度を得られなかった。旧型の光源に問題があったため、スループットが50％から10％に落ちたこともあった」という。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】