10nmプロセスの実現に光、EUVリソグラフィ技術に進展：課題は山積だが、着実に前進（2/2 ページ）

最新のEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の予備試験で、40Wの光源を用いて1日当たりウエハー100枚を処理することに成功した。リソグラフィ技術は、EUVでも液浸でも課題は山積している。だが、今回の試験結果は、EUV技術では大きな進展だといえる。

[Rick Merritt，EE Times]

ムーアの法則からは、それ始めている

　スループットの問題を解決できたとしても、EUVには、化学増幅レジスト（CAR：Chemical-amplified Resist）のための新しい材料を開発しなくてはならないという課題がある。さらに、マスクの欠陥をなくすためにペリクルも開発する必要がある。最先端のEUV装置の開発は、もともとは2007年に実用化される見込みだったので、既に7年の後れが出ている状態だ。

　それでも、Ronse氏は楽観的な姿勢を崩さない。「道のりは長いが、少しずつ前進している」（同氏）。ASMLは、2014年末までに80Wの光源を導入する予定だ。「2015年末には160〜180Wの光源を実現できる可能性がある。コスト効果の高い量産体制の実現には十分な強さの光源だ」（Ronse氏）。

　Intelは、10nmプロセスのチップをEUVを使わずに製造する、コスト効率の高い方法があることをほのめかしている。だが同社は、マルチレイヤーパターニングなどについては言及していない。

　Ronse氏は、「EUV以外では、現実的な代替プランはない」と述べる。トリプルパターニングやクアッドパターニングでは、アラインメントやフォーカス制御、OPC（Optical Proximity Correction：光近接効果補正）にコストがかかりすぎる上に、複雑な工程になってくるからだ。「このような膨大なコストに耐えられるメーカーなどない。ムーアの法則に沿うことは、もうできなくなっている」（同氏）。

　Synopsysの共同CEOであるAart de Geus氏も、「ムーアの法則によって、より高性能、より安価なチップを提供し続けられるかどうかは、定かではない」と語っている。

　de Geus氏は、プロセスの微細化については慎重な姿勢を見せる。「われわれは初めて、ムーアの法則のカーブからそれ始めている。マルチレイヤーパターニングは大幅なコスト増となり、そのプロセスではとても製造を維持できない」（同氏）。

遅れる450mmウエハーへの移行

　IMEC Technology Forumのセッションで、ASMLのVan den Brink氏は、EUVについて楽観的な見解を示しつつ、コストを引き下げる鍵となる450mmウエハーの開発を急ぐ必要があると述べた。同氏は、「450mmウエハーへの移行時期は、大幅に遅れている」と述べ、大口径ウエハーへの移行における課題を指摘した。

EUVを使わなければ、チップの製造コストは大幅に上がっていく

EUVを導入できれば、コストの増加は許容できる範囲まで抑えられる

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】