「BMW i3」が搭載するxEV向けIGBTモジュールをアピール：国際カーエレクトロニクス技術展

インフィニオン テクノロジーズは、国際カーエレクトロニクス技術展において、BMW製EV「BMW i3」に搭載されたIGBTモジュール「HybridPACK 2」や、次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」を展示した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは、国際カーエレクトロニクス技術展（2015年1月14〜16日、東京ビッグサイト）において、BMW製EV「BMW i3」に搭載されたIGBTモジュール「HybridPACK 2」を、実車とともにメインステージで紹介するとともに、次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」も展示した。

　BMW i3には、コア技術となるHybridPACK 2を始め、マイクロコントローラ「AUDO Future」やパワーMOSFET「CoolMOS」など、75個のインフィニオン製半導体デバイスが搭載されているという。HybridPACK 2は、EVやHEVのモータ駆動インバータ向けに開発されたパワーモジュールで、出力定格は650V/600A＆800Aである。低損失で効率が高く、コストメリットも大きいという。

　ブースには、HybridPACK 2の次世代製品「HybridPACK DRIVE」も展示した。従来と同じ出力定格であれば、「モジュールの形状をほぼ30％削減できる」（説明員）と話す。IGBTやダイオードおよびパッケージの技術革新により、効率を高めることで小型・高密度実装を可能にした。

次世代xEV向けIGBTモジュール「HybridPACK DRIVE」の外観

　インフィニオンブースでは、IGBTモジュール以外でも、車載用LEDドライバICや機能安全対応のシステム電源IC、77GHz車載レーダー用MMIC、車載用高耐圧MOSFET「CoolMOS」などの展示を行った。