シリコンの時代は「人類滅亡の日」まで続く（後編）：福田昭のデバイス通信（2）（2/2 ページ）

「ポストシリコン」の研究は、「半導体デバイスの性能を向上させるべく、非シリコン材料を使う研究」とも捉えることができる。SiC、GaNは、パワー半導体と発光デバイスでは既に採用が進んでいて、SiGeもCMOSロジック回路に導入されている。

[福田昭，EE Times Japan]

高性能パワー半導体と発光デバイスは「非シリコン材料」の領地

　パワー半導体の世界でも、シリコン以外の材料が入り込みつつある。1つはシリコンと炭素の化合物（SiC化合物、「シリコンカーバイド」と呼ばれる）、もう1つはガリウムと窒素の化合物（GaN化合物、「窒化ガリウム」と呼ばれる）である。いずれもシリコン単体に比べると、高効率で高耐圧のパワー半導体を作れる。ダイオードやMOSFETなどの製品が既に商品化されている。

　このほか既によく知られていることだが、発光デバイスは非シリコン材料の独壇場である。窒化ガリウム（GaN）化合物、ガリウムひ素（GaAs）化合物、ガリウムひ素リン（GaAsP）化合物、ガリウムインジウムひ素リン（GaInAsP）化合物などが商用の発光デバイスに使われている。

SiC化合物（シリコンカーバイド）によるショットキー・バリア・ダイオード（右）とMOSFET（左）。ロームが2015年1月に開催された「国際カーエレクトロニクス技術展」に出展したもの

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