耐圧600VのGaNトランジスタ2製品、オンセミとTransphormが発売：パワー半導体 GaNデバイス

オン・セミコンダクターとTransphormは、耐圧600VのGaN（窒化ガリウム）トランジスタ2製品を発売した。小型電源やアダプタなどの用途に向ける。同時に新製品を搭載した240Wリファレンスデザインキットも発表した。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

　オン・セミコンダクターとTransphormは2015年3月、耐圧600VのGaN（窒化ガリウム）トランジスタ2製品を発売した。小型電源やアダプタなどの用途に向ける。同時に新製品を搭載した240Wリファレンスデザインキットも発表した。

共同ブランドで

　新製品は、オン抵抗が290mΩ（標準値）の「NTP8G202N（TPH3202PS）」と同150mΩの「NTP8G206N（TPH3206PS）」である。パッケージはTO-220で供給する。

　また、240Wリファレンスデザインキットに含まれる評価基板「NCP1397GANGEVB（TDPS250E2D2）」は、ブーストステージで力率補正コントローラ「NCP1654」を利用し、98％の効率を達成している。LLC方式DC/DCステージでは、共振モードコントローラ「NCP1397」を用いることで全負荷効率97％を実現している。これらの効率はスイッチング周波数が約200kHzで動作した場合の性能である。しかも、EN55022クラスBのEMC特性を満たしているという。

GaNトランジスタを搭載した評価基板「NCP1397GANGEVB（TDPS250E2D2）」の外観

2014年9月に業務提携を締結

　両社は、GaNベースの電力システム向けソリューションの提供に関して2014年9月に業務提携し、関連技術や製品の共同開発に取り組んできた。今回はその成果の1つとなる。新製品は両社共同のブランドで販売する。