ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（4）〜次期主力機「NXE:3350B」の概要：SEMICON West 2015リポート(7)（2/2 ページ）

今回は、ASMLのEUV（極端紫外線）露光装置の開発ロードマップを紹介する。次期主力機「NXE:3350B」は、16nmの解像を目標に開発が進んでいるという。「NXE:33x0」シリーズとしては、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるなど、強気な目標を立てている。

[福田昭，EE Times Japan]

0.6nmと低い線幅ばらつきを16nm幅の直線パターンで得る

　Lercel氏の講演では、「NXE:3350B」を評価した結果も示された。光学系ではレンズの波面収差とNCE（Non Correctable Error）がともに、NXE:3100に比べて減少した。言い換えると、光学系の解像力が向上した。

光学収差の比較。左は波面収差、右はNCE（Non Correctable Error）。いずれも現行主力機の「NXE:3300B」に比べ、次期主力機の「NXE:3350B」が減少している（クリックで拡大）

　実際、解像力の測定でも基本的な直線パターンとはいえ、かなり良好な結果を出している。ウエハー全面でのCDUは0.6nmと低い。露光領域でのCDUになるとさらに低く、0.4nmを得ている。16nm幅のち密な直線パターンと、20nm幅の孤立した直線パターンを露光した結果である。

　また装置間の重ね合わせ誤差（MMO）は、実験では2.9nmの誤差が出ていた。製品仕様には届かないものの、まだ改良の余地はある。

「NXE:3350B」による露光実験の結果。ウエハー全面に対するCDU（Critical Dimension Uniformity）は0.6nmと低い（クリックで拡大）

「NXE:3350B」とArF露光装置との重ね合わせ誤差（MMO）の実験結果。2.9nmとまだ製品仕様の2.5nmには達していないものの、改良の余地はある（クリックで拡大）

　講演者のLercel氏はこの他、NXE:3300BやNXE:3350Bなどを含む「NXE:33x0」シリーズの開発ロードマップをスライドで見せていた。2014年は光源出力が80Wで生産性が500枚/日（24時間）であったのを、2016年には光源出力を250W、生産性を1500枚/日に向上させるという。かなり強気な目標である。

「NXE:33x0」シリーズの開発ロードマップ（クリックで拡大）