抵抗変化メモリとGaNデバイス：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（4）（3/3 ページ）
今回のプレビューでは、セッション7〜9を紹介する。セッション7では抵抗変化メモリ（ReRAM）の信頼性に関する発表が相次ぐ。セッション8では、3次元集積回路の製造技術がテーマだ。セッション9では、富士通と東京工業大学が試作した、96GHzの周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTなどが発表される。
96GHzで3W/mmのGaN HEMTを開発
セッション9（パワーデバイスと化合物半導体デバイス）のテーマは、「先端化合物のRFデバイスとパワーデバイス」である。GaNの高周波デバイスとパワーデバイスの研究成果が主に発表される。
富士通と東京工業大学の共同研究チームは、96GHzと高い周波数で出力が3W/mmと高いInAlGaN/GaN HEMTを試作した（講演番号9.1）。独自構造の二重シリコン窒化（SiN）保護膜によって酸化を防止し、電流コラプスが起きないようにした。TSMCは、CMOSとプロセスの互換性のある高耐圧GaNオンSiデバイスを報告する（講演番号9.5）。エンハンスメント型FETとディプリーション型FETを作製しており、いずれも650Vで動作する。
GaN以外の材料では、二酸化バナジウム（VO2）をサファイア基板上に形成した超高周波スイッチをThe Pennsylvania State Universityが発表する（講演番号9.3）。スイッチのカットオフ周波数は26.5THz（テラヘルツ）と極めて高い。挿入損失は0.5dB、信号分離は35dB以上である（最大50GHzまでの値）。1dB利得圧縮点（P1dB）は12dBm、出力3次インターセプト点（OIP3）は44dBm、ターンオン遅延時間は25ナノ秒。
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