GaNの「最小」ACアダプター、充電時間も1/3に：効率は87％を達成（2/2 ページ）

富士通研究所は、窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）パワーデバイスを用いて、モバイル端末などの急速充電を可能にする12W出力の小型ACアダプターを開発したと発表した。

[庄司智昭，EE Times Japan]

環境負荷低減にも貢献

　今回、2次側の制御ICとGaN-HEMTの間に、新しくタイミングを制御する回路を導入。制御ICが生成する電圧の波形を調整することで、高速動作による損失電流発生を抑制でき、GaN-HEMTの低い動作抵抗を生かしながら、適切なタイミングで電流を出力できるという。これにより、ACアダプターの効率を高め、小型/高出力化を実現している。

今回開発した2次側スイッチ素子周辺の電圧と電流の変化 （クリックで拡大） 出典：富士通研究所

　さらに、GaN-HEMTの特性を生かしたことで無駄な電力を削減。米国エネルギー省が2016年2月に施行する外部電源（EPS）の効率基準「Level-VI」にも対応可能になるという。CO₂排出量が削減され、環境負荷低減にも貢献するとしている。

今回開発したACアダプターの出力電圧と効率 出典：富士通研究所

　富士通研究所は今後、同技術の小型/高効率化を進め、2017年度中の実用化を目指すという。ノートPCなど高出力な回路への展開も進める予定。今回試作したACアダプターは、2015年12月10〜12日に開催される「エコプロダクツ2015」に展示予定である。