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インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年：PCIM Europe 2016（2/2 ページ）
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」（2016年5月10〜12日、ニュルンベルク）で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。
モーター駆動での採用には時間が必要
SiCパワー半導体の市場については､「シリコンに比べればまだ小さい市場ではあるが、全体的に堅調に伸びているとみている。ただし、用途によってSiCパワー半導体の導入に対する姿勢がかなり異なる。例えば太陽光発電システムの分野では、SiCを早い段階から採用しているので“慣れ親しんでいる”。一方でモーター駆動の分野は非常に保守的だ。このような分野では、SiCの採用にはもう少しかかるだろう」と述べている。
なお、次世代パワー半導体としてはもともとSiCに注力していたInfineonだが、GaNに強みを持っていたInternational Rectifier（IR）を2015年1月に買収したことで、SiCからGaNまでを提供するメーカーとなった。
左＝InfineonでSiCシニアディレクターを務めるPeter Friedrichs氏／右＝「CoolSiC」の“Cool”を強調すべく、パワーデバイスを閉じ込めた氷（本物です）も披露（クリックで拡大）〔取材協力：Mesago PCIM〕
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