Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い：SiCウエハー製造でもシェアを追う方針（2/2 ページ）

Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー／デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。

[竹本達哉，EE Times Japan]

世界SiCウエハー市場シェア33％程度

　現状、パワー、RF向けSiCウエハー市場において、Creeの事業は大きな世界シェアを握る。Infineonによるとその市場シェアは、33％程度という。そして、SiCウエハーの供給先は、Wolfspeedのみならず、さまざまなパワーデバイスメーカーが含まれる。

Klaus Walther氏

　Infineonでは「買収後も、当社以外のパワーデバイスメーカーにウエハーを供給するビジネスを継続し、拡大させていく。CreeもわれわれInfineonであれば、さらにウエハー販売の顧客数を増やせると判断し、われわれへの売却を決めている」（同社Corporate Vice Presidentを務めるKlaus Walther氏）という。

　パワーデバイス分野での競合メーカーがウエハービジネスの顧客となるため、ウエハービジネスの顧客離れが懸念されるが「これまでも、パワーモジュール製品で当社と競合になるメーカーに対し、パワー半導体素子を供給してきた。（ウエハーの外販も）こうした枠組みと同じであり、成功すると確信している」（Walther氏）と言い切った。

　同時に「これまで供給を受けてきたCree以外のSiCウエハーメーカーからも調達は継続する」とし、供給、調達両面で複数の選択肢を持った事業運営を行う方針を示した。

　またSiCウエハー製造事業に対する投資についても「現状、割高なSiCウエハーコストを引き下げるべく、Cree以上に投資を行う」（日本法人社長森康明氏）とする。Creeは、現在、6インチサイズのSiCウエハーを主力に製造を行っているが、既に8インチサイズのSiCウエハーのサンプル出荷を手掛けており、Infineonは買収後、8インチウエハーの増産に向けた投資を実施していくことになる。

RFパワー世界首位の足掛かりにも

　Infineonは、Wolfspeed買収によりパワーデバイス事業とともに、RFデバイス事業の強化も図れるとする。

RFパワー分野における買収効果を示す資料 （クリックで拡大） 出典：Infineon Technologies

　Infineonは現在、シリコンウエハーやシリコンウエハー上にGaNを形成した「GaN on Si ウエハー」を用いて、パワーアンプなどのRFパワーデバイスを展開。シリコン製RFパワーデバイスでは世界第3位のシェアを有するという。一方で買収するWolfspeedは、SiCウエハー上にGaNを形成した「GaN on SiC ウエハー」によるRFデバイスを展開している。

素材別RFパワーデバイスの市場規模予測 （クリックで拡大） 出典：Infineon Technologies

　Friedrichs氏は「5G（第5世代移動通信）など次世代無線通信が普及する2025年には、（現在主流の）シリコンデバイスよりも高速、高出力を実現しやすいGaN on SiやGaN on SiCによるRFパワーデバイスが主流になる見込みだ。シリコンから、GaN on SiやGaN on SiCへの置き換えに合わせてシェアを伸ばし、将来的にRFパワーデバイス市場で世界トップシェアを狙う。今回の買収で、それが可能になった」と語った。