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Micron、3D XPointベースのSSDのデモを披露“1000倍速い”とまでは、いかなかったが

IntelとMicron Technologyが2015年7月に発表した不揮発メモリ「3D XPoint」は、「NANDフラッシュよりも1000倍高速」とのうたい文句で大きな話題を呼んだ。ただし、SSDにした時の性能はさすがに“1000倍”とは、いかなかったようだ。

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「3D XPoint」の性能データ

 Micron Technologyは現在、「3D XPoint」メモリをベースとしたSSD「QuantX」を開発中であるが、2016年8月9〜11日に米国カリフォルニア州サンタクララで開催された「Flash Memory Summit」の開催初日に同SSDの性能データを発表した。一方、Micronのライバル企業である東芝は、従来のNAND型フラッシュメモリの性能を高めた製品の発売計画を明らかにした。また、3D XPoint製品の大口顧客となると期待されるFacebookは、さまざまな種類のメモリ製品の必要性を説いた。

 Micornのエンジニアは、PCI Express(PCIe)Gen 3インタフェース上で3D XPointメモリチップをベースとしたSSDのプロトタイプを動作させた。書き込み速度は20マイクロ秒以下、読み出し速度は10マイクロ秒以下で、NANDフラッシュベースの従来のSSDに比べて約10倍の速さを実現したという。PCIe x4を搭載したデバイスでは、最大90万回、PCIe x8では最大190万回のIOPS(Input/Output Per Second)性能を実現するとしている。


「3D XPoint」ベースのSSD「QuantX」では、NANDフラッシュを使う現在のSSDに比べて、読み出し/書き込み速度が約10倍速くなるとしている(クリックで拡大)

 Micronは、「QuantXは、DRAMの4倍の容量を実現する」とうたっている。

 Micronは、記録密度が200G〜1600GバイトのQuantXのデータは公開したが、製品化の時期や価格については明らかにしなかった。

 今回発表されたデータから、3D XPointの性能は、IntelとMicronが2015年に最初の技術仕様として設定したレベルに到達したことが立証された。ただし、Micronの幹部社員は、「3D XPointはNANDフラッシュの代替品ではなく、DRAMとNANDフラッシュ間の処理性能、記憶容量、価格差を埋める製品だ」と強調している。

 Facebookは、現在テスト中の3D XPoint製品の顧客になる見通しだ。Facebookの技術戦略ディレクターで、Flash Memory Summitで基調講演を行ったVijay Rao氏は、EE Timesとの短いインタビューの中で、「当社のソフトウェアは、キャッシュやデータベースアプリケーションに新しい永続的メモリ(persistent memory)を組み込む用意ができている。IntelとMicronが3D XPointの製品提供を開始次第、対応が可能だ」と述べている。

 Facebookは、相変化メモリ(PRAM)やメモリスターなど、さまざまな代替メモリの調査を行ってきた。Rao氏は基調講演の中で、「長い年月を経て、新しいクラスのメモリが誕生しようとしている。ただし、われわれはまだ、その用途を模索している段階だ」と語っている。


QuantXは、PCIe x4を搭載したデバイスでは、最大90万回のIOPS性能を実現したという(クリックで拡大)

 同氏は3D XPointに関して、「3D XPointを用いたSSDが、Facebookのデータベースの処理性能を高めることを実証した」というIntelの発表を引用し、「NANDフラッシュに比べて処理速度が大幅に向上した」と言及している。

【翻訳:滝本麻貴、編集:EE Times Japan】

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