ニュース
“他にないスライス技術”がSiCの生産効率を4倍へ：業界を革新させるプロセスとなるか（2/2 ページ）
半導体製造装置メーカーであるディスコは、今までにない手法を用いたレーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA（カブラ）」プロセスを開発したと発表した。SiC（炭化ケイ素）ウエハー生産の高速化、取り枚数増を実現し、従来方式と比較して生産性を4倍向上させることが可能という。
関連記事
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。
Infineonによる“CreeのSiC事業買収”の狙い
Infineon Technologiesは2016年7月21日、このほど発表したCreeのSiCウエハー／デバイス事業に関する説明を行い、SiCデバイスとともに、SiCウエハーの外販を強化していく方針を明らかにした。
パワー半導体、シリコンの置き換えは何年も先
ドイツで開催されたパワーエレクトロニクスの展示会「PCIM Europe 2016」では、SiCとGaNを用いたパワー半導体が多く展示された。パワーエレクトロニクス業界に40年以上身を置く、ECPE（European Center for Power Electronics）のプレジデントを務めるLeo Lorenz氏に、現在のパワー半導体の動向について話を聞いた。
インフィニオン初のSiC MOSFETを披露、量産は2017年
Infineon Technologiesは、ドイツで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2016」（2016年5月10〜12日、ニュルンベルク）で、耐圧1200VのSiC MOSFETなどを展示した。
SiC／GaNパワー半導体、本格普及は2020年以降か
矢野経済研究所は、2015年のパワー半導体市場規模が前年比7.0％減の148億2000万米ドルになった模様だと発表した。SiCやGaNパワー半導体の本格的な普及は2020年以降になるという。
6インチウエハーによるSiCチップ試作ライン構築
つくばイノベーションアリーナ（TIA）は、6インチ級SiC（炭化ケイ素）ウエハーを用いたパワー半導体デバイスの量産研究開発を目的に、新たな第3ラインを産業技術総合研究所（産総研）西事業所内に構築する。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.