小型で低オン抵抗のドレインコモンMOSFETを発売：リチウムイオン電池の保護回路用

東芝デバイス＆ストレージは、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

外形2.14×1.67mm、厚み0.11mmのCSPで供給

　東芝デバイス＆ストレージは2020年9月、小型形状でオン抵抗が小さいドレインコモン構造の12V耐圧nチャネルMOSFET「SSM6N951L」を開発、出荷を始めた。リチウムイオン電池パックのバッテリー保護回路用途に向ける。

SSM6N951Lの外観と端子配置

　モバイル機器などに内蔵されるリチウムイオン電池パックには、充放電時の発熱を抑えたり、安全性を高めたりするため、冗長性の高い保護回路が用いられている。こうした中で、保護回路に用いるMOSFETには、電力損失を抑えるため極めて小さいオン抵抗特性や、高密度実装に対応できる小型低背形状が求められているという。

　SSM6N951Lは、専用の微細プロセスを採用し、オン抵抗4.6mΩ（代表値、V_GS＝3.8V）を実現した。また、ゲート・ソース間漏れ電流も±1μA（最大、V_GS＝±8V）と極めて小さく、バッテリーの長時間動作を可能にする。

　パッケージは、外形寸法2.14×1.67mmで厚みが0.11mm（代表値）のCSP（Chip Scale Package）を採用した。これにより、高密度実装を要求されるスマートフォンやタブレット、ウェアラブル端末、ゲーム機器、デジタルカメラなどへの搭載も容易となった。