3D NANDフラッシュメモリの開発ロードマップ：福田昭のストレージ通信（183） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（10）（2/2 ページ）

今回から、TechInsightsのJeodong Choe氏による講演の内容を紹介する。まずは、3D NANDフラッシュメモリ各社の開発ロードマップを解説している。

[福田昭，EE Times Japan]

2022年には160層〜192層の量産が始まる

　始めは3D NANDフラッシュメモリ（以降は「3D NANDフラッシュ」と略記）各社の開発ロードマップである。次世代（N＋1世代）のワード線積層数は、Samsung Electronicsが16X層あるいは192層、キオクシアが112層、SK hynixが176層、Micron Technologyが128層（チャージトラップ方式）、Intelが144層（フローティングゲート方式）、YMTCが128層と推測する。

　また3D NANDフラッシュよりもはるかに高速な不揮発性メモリでは、SamsungのZ-NAND、キオクシアのXL-FLASH、MicronのXPoint X100、IntelのOptane XPoint2（DCPMM200）がある。

3D NANDフラッシュ各社の開発ロードマップ（配布資料）。2014年〜2023年の詳細は省略されている。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」の配布資料（クリックで拡大）

　なお配布資料では3D NANDフラッシュ各社の開発ロードマップが省略されていた。実際の講演スライドでは詳細が示されていたので、2019年〜2023年の開発動向についてふれておこう。

　2019年は各社とも96層品（あるいは92層品）の量産を開始した。上位4社（グループ）の最上位品はほぼ横並びだ。多値記憶はTLCあるいはQLCである。シリコンダイの記憶容量は256Gbit／512Gbi／1Tbit／1.33Tbitと幅広い。

　2020年は96層の次の世代へと切り換わり始める年となる（注：講演の時期は2020年11月）。Samsungは128層品、キオクシア-Western Digital（WD）連合は112層品、MicronはIntelとの連合を解消して初めての開発品である、チャージトラップ方式の128層品を製品化した。Intelはフローティングゲート方式で開発を継続し、144層品の生産を始める。SK hynixは128層品を製品化する。

　2021年は、2020年に生産を始めた世代の量産を本格化させる年となる。次の世代の生産開始は2021年末から2022年の始めになるだろう。先ほど説明した「N＋1世代」におおむね相当する。そして2023年には200層を超える超高層の3D NANDフラッシュが登場する。

3D NANDフラッシュ各社の開発ロードマップ（講演スライドの抜粋）。出典：FMS 2020の講演「Technology Trend：NAND ＆ Emerging Memory」のスライド（一部）（クリックで拡大）

（次回に続く）

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