Intelがプロセスの名称を変更、「nm」から脱却へ：パッケージング技術の最新情報も（1/2 ページ）

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

　Intelは2021年7月26日（米国時間）、半導体プロセスとパッケージング技術の最新情報を説明するウェブキャスト「Intel Accelerated」を開催した。これを受けて、同社の日本法人インテルは7月28日に、Intel Acceleratedの内容を日本のメディア向けに説明するオンライン説明会を実施。インテル 執行役員常務 技術本部本部長である土岐英秋氏が説明した。

　半導体プロセスで最も重要なアップデートは、プロセスノードの名称の変更である。これまで「22nm」「14nm」といったように「ナノメートル（nm）」を使って世代を表していたが、10nm世代の改良版である「10nm SuperFin」の次の世代からこれを一新し、「Intel 7」「Intel 4」「Intel 3」「Intel 20A」とする名称に変更する。このうち、Intel 7はIntelがこれまで「10nm Enhanced SuperFin」と呼んでいたもの、Intel 3はいわゆる7nm世代としていたものを指す。

プロセスノードの名称を一新する 出典：Intel（クリックで拡大）

　さらに、Intel 4からはEUV（極端紫外線）リソグラフィー技術を導入。Intel 20Aからは、新しいトランジスタ構造として「RibbonFET（リボンFET）」と「PowerVia（パワービア）」を導入する予定だ。

左＝「Intel 7」は、「10nm SuperFin」に比べて、1W当たりのトランジスタ性能が10〜15％向上するという／右＝「Intel 3」では、EUVの強化が行われ、「Intel 4」に比べて1W当たりのトランジスタ性能が約18％向上するとしている 出典：Intel（クリックで拡大）

　それぞれの世代の導入時期と量産開始時期、トランジスタの構造、どのプロセッサに適用されるのかを、以下にまとめる。

プロセスノード	Intel 7	Intel 4	Intel 3	Intel 20A	Intel 18A
製造開始	2021年	2022年後半	2023年後半	2024年	2025年前半
出荷開始	2022年	2023年	2024年
適用されるチップ	「Alder Lake」 「Sapphire Rapids」	「Meteor Lake」 「Granite Rapids」
トランジスタ構造	FinFET	FinFET	FinFET	RibbonFET	RibbonFET
導入する技術		EUVリソグラフィ		PowerVia

　名称を変更した理由について土岐氏は、「Intelがファウンドリー事業『IFS（Intel Foundry Services）』を始めるにあたり、どのトランジスタノードがどの世代なのかをより分かりやすくするためだ」と説明した。

　半導体製造技術のプロセスノードは、プレーナ型FETでは、基本的にはゲートの長さを表していた。だが、FinFETが登場してからは、その構造上の都合から、プロセスノードが“どこの長さ”を示すのかが曖昧になり、半導体メーカー／ファウンドリー各社がいうところの「XXnm」は、世代を表す数字としては機能しているものの、物理的な長さを表す数字としてはほとんど意味を持たず、ブランド名やモデル名といったイメージに近いものとなっていた。

　Intel 20Aに関しても同じことがいえる。この「A」はオングストローム（10⁻¹⁰m／0.1nm）を指しているが、Intel 20Aは、トランジスタのどこかのサイズが20オングストロームだと言いたいわけではない。「当社はかつて、ゲート酸化膜の厚さが原子何個分（にまで薄くなる）、ということを紹介したことがある。Intel 20Aは、微細加工が進み、トランジスタが、原子が見えるレベルにまで小さくなってきたことを示すもので、いよいよトランジスタも“オングストローム世代”（＝オングストロームでカウントできる部分があるということ）に入ってきたことを表している」（土岐氏）