キオクシア、UFS Ver3.1準拠のフラッシュメモリ：256GB／512GB品をサンプル出荷

キオクシアは、UFS Version 3.1インタフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリとして、容量が256Gバイト品と512Gバイト品を開発、サンプル出荷を始めた。薄型パッケージを採用しつつ、ランダムリード／ライトの性能を大幅に向上させた。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

薄型パッケージを採用し、ランダムアクセス性能を向上

　キオクシアは2021年8月、UFS（Universal Flash Storage） Version 3.1インタフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリとして、容量が256Gバイト品と512Gバイト品を開発、サンプル出荷を始めた。薄型パッケージを採用しつつ、ランダムリード／ライトの性能を大幅に向上させた。

　新製品は、ハイエンドスマートフォンなど機器の薄型化に対応した。パッケージの厚みは256Gバイト品で0.8mm、512Gバイト品で1.0mmを実現している。しかも、第5世代となる3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」技術を採用。これにより、同社従来製品に比べ、ランダムリード性能を約30％、ランダムライト性能を約40％、それぞれ向上させた。

　また、UFS Version 3.1の拡張仕様であるHPB（Host Performance Booster） Ver.2.0機能を搭載。ホスト側のメモリを活用し、論理／物理アドレス交換テーブルを保存することによって、これまでより幅広いアクセスが可能になり、ランダムリード性能を改善できるようになったという。