インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ：650VのGaN HEMTを開発

Infineon Technologies（以下、Infineon）とパナソニックは2021年9月2日（ドイツ時間）、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の第2世代（Gen2）を共同開発／製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定だ。

[永山準，EE Times Japan]

　出典：Infineon Technologies

　Infineon Technologies（以下、Infineon）とパナソニックは2021年9月2日（ドイツ時間）、窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の第2世代（Gen2）を共同開発／製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定で、高電力および低電力のスイッチング電源、再生可能エネルギー、モーター駆動といったアプリケーションをターゲットに、使いやすさと価格性能比の向上を目指す。

　両社は2015年にGaNパワー半導体開発での協業を発表。両社が共同開発した第1世代（Gen1）はInfineonが「CoolGaN」、パナソニックが「X-GaN」の名称で提供している。Infineonのパワー＆センサーシステム部門のプレジデント、Andreas Urschitz氏は、「Gen2では、Gen1同様の高信頼性に加え、トランジスタの制御がさらに容易になり、8インチウエハー製造に移行したことでコスト面でも大幅に改善される」と説明している。

　また、GeN2は、Gen1同様、ノーマリーオフのGaN-on-Siトランジスタ構造を採用する。これは、ハイブリッドドレイン埋込みゲート注入トランジスタ（HD-GIT）構造の高い堅牢性と併せ、「これらのコンポーネントが市場で選ばれる製品となり、最も長期的に信頼できるソリューションの1つとなる」（同社）としている。

　Infineonは、「8インチのGaN-on-Siウエハー製造能力と、優れた性能と信頼性を兼ね備えたGaNパワー半導体の需要拡大に戦略的に対応していく」と述べている。