8MビットFRAM開発、書き込み回数は100兆回保証：消費電力を抑え高速動作を可能に

富士通セミコンダクターメモリソリューションは、消費電力を抑えつつ高速動作を可能にした8MビットFRAM「MB85R8M2TA」を開発、サンプル出荷を始めた。書き込み回数は100兆回を保証する。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

アクセス速度は高速ページモードで最大25ナノ秒

　富士通セミコンダクターメモリソリューションは2021年11月、消費電力を抑えつつ高速動作を可能にした8MビットFRAM「MB85R8M2TA」を開発、サンプル出荷を始めた。書き込み回数は100兆回を保証する。

MB85R8M2TAの外観

　MB85R8M2TAは、メモリ構成が512k×16ビットで、動作電源電圧は1.8〜3.6Vと広い。インタフェースはSRAMと互換性のあるパラレルインタフェースを採用した。アクセススピードはページモードを用いることで最速25ナノ秒を実現。連続したデータの転送ではSRAMと同等の高速アクセスを可能にした。

　動作時の消費電力も抑えた。動作電流は最大18mAで、従来品に比べ10％も削減した。スタンバイ電流は最大150μAで従来の約半分とした。スリープ電流は最大10μA。動作温度範囲は−40〜85℃である。

　パッケージは48端子FBGAに加え、44端子TSOPも用意した。これによって、従来の4Mビット品からの置き換えを容易にした。