Infineon、20億ユーロでSiC／GaN半導体新工場を建設：稼働は2024年を予定

[永山準，EE Times Japan]

年間20億ユーロの売り上げ増見込む

　Infineon Technologiesは2022年2月17日（ドイツ時間）、20億ユーロ（約2600億円）以上を投じてマレーシアのクリムにある拠点にSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）半導体のフロントエンドの新工場を建設する、と発表した。同社は、この新工場の稼働によって、「SiC、GaNベースの製品で新たに年間20億ユーロの売り上げ増が可能になる」としている。

Infineon Technologiesのマレーシア・クリム拠点 出所：Infineon Technologies

　新工場は2022年6月に建設開始し、2024年夏には設備を搬入。出荷開始は2024年後半を予定している。同社は、「クリムへの投資は、特にエピタキシャルプロセスやウエハーシンギュレーションなど、重要な付加価値工程で構成される予定だ」としている。

　同社はSiC製品の生産を現在オーストリアのフィラッハ拠点で行っており、クリムの新工場が2番目の拠点となる。同社は2拠点でワイドバンドギャップ（WBG）半導体の大規模生産を行うことで、サプライチェーンを強靭化していく方針だ。なお、フィラッハ拠点については、「今後数年間、既存のシリコン用設備を転用することにより、WBG技術イノベーションの基盤およびグローバルコンピテンスセンターとして機能し続ける」とも説明している。

　Infineonは産業用電源、太陽光発電、自動車、電気自動車（EV）充電などを主なアプリケーションとして、既に3000社以上の顧客にSiCベースの製品を提供、SiCベースのパワー半導体の売上高を2020年代半ばに10億米ドルにすることを目標にしている。また、2020年の4700万米ドルから2025年には8億100万米ドルへと急成長が予測されているGaN市場に対しても、「最先端システムとアプリケーションへの理解、幅広いGaN IP（Intellectual Property）ポートフォリオ、大規模なR＆D組織を有している」と強調している。

　InfineonのCOO（最高執行責任者）、Jochen Hanebeck氏は、「再生可能エネルギーと電動化がパワー半導体の力強く、持続的な需要増の主な要因となっている。InfineonのSiC／GaNの生産能力は、WBG市場の加速に対応するためのものだ。フィラッハの開発センターとコスト効率に優れたクリムでの生産を組み合わせ、WBGパワー半導体市場で勝利する」と述べている。