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テレダイン・レクロイ、1GHzプローブなどを発売:GaN/SiC半導体を高精度で評価
テレダイン・レクロイは、帯域幅が1GHzの高電圧光アイソレーションプローブ「DL-ISO」と「パワーデバイステスト用ソフトウェア」を発売する。これらを12ビット分解能オシロスコープと組み合わせることで、GaN(窒化ガリウム)/SiC(炭化ケイ素)半導体の特性を、高い精度で評価することが可能となる。
12ビット分解能オシロと組み合わせ1.5%の精度を達成
テレダイン・レクロイは2022年4月、帯域幅が1GHzの高電圧光アイソレーションプローブ「DL-ISO」と「パワーデバイステスト用ソフトウェア」を発売すると発表した。これらを12ビット分解能オシロスコープと組み合わせることで、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)といったワイドバンドギャップ半導体の特性を、高い精度で評価することが可能となる。
DL-ISOは1GHzの帯域幅により、立ち上がり時間1ナノ秒の測定が可能となる。サンプリング速度が最大20Gサンプル/秒の12ビット分解能オシロスコープと組み合わせて用いることにより、GaN/SiC半導体の電気特性を、1.5%という極めて高い精度で評価することができるという。
対応するオシロスコープは、「HDO4000シリーズ」「HDO 6000Bシリーズ」「WaveRunner 8000HDシリーズ」「MDA 8000HDシリーズ」「WavePro HDシリーズ」などである。
パワーデバイステスト用ソフトウェアは、より自動化されたJEDECスイッチング損失およびその他の測定と、関連する測定領域の色分けされたオーバーレイ表示によって、GaNやSiCデバイスの解析が容易になるという。
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