ローム、20V耐圧nチャネルMOSFETの量産開始：小型サイズで低電力損失を実現

ロームは、小型パッケージの採用や低電力損失を実現した20V耐圧のnチャネルMOSFET「RA1C030LD」を開発、量産を始めた。ワイヤレスイヤフォンやウェアラブル機器などの用途に向ける。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

同一サイズの一般品に比べ、オン抵抗×Qgdが最大20％向上

　ロームは2022年11月、小型パッケージの採用や低電力損失を実現した20V耐圧のnチャネルMOSFET「RA1C030LD」を開発、量産を始めた。ワイヤレスイヤフォンやウェアラブル機器などの用途に向ける。

RA1C030LDの外観 出所：ローム

　RA1C030LDは、独自のICプロセスを応用したウエハーハレベルチップサイズパッケージ「DSN1006-3」を採用し、外形寸法を1.0×0.6×0.22mmに抑えた。オン抵抗は80.0mΩ、ゲート・ドレイン間電荷量（Qgd）は0.2nCである。同一パッケージサイズの一般品に比べ、導通損失とスイッチング損失の関係を表す指標（オン抵抗×Qgd）が、最大20％も向上しているという。

　しかも、独自のパッケージ構造によって側壁の絶縁保護を実現した。このため、部品の高密度実装が必要な小型機器などにおいても、部品同士の接触による短絡（ショート）リスクを軽減することができる。

　RA1C030LDは、サンプル価格（税別）が100円、当面月産100万個体制で量産を開始した。インターネット販売も始めており、チップワンストップやコアスタッフオンラインなどのウェブサイトから購入することができる。