onsemi、SiCファミリ「EliteSiC」を発表：MOSFETと2つのSBDを発表

[竹本達哉，EE Times Japan]

　onsemiは2023年1月3日（米国時間）、SiC（炭化ケイ素）を用いたパワーデバイス製品群の名称を「EliteSiC」とすると発表した。同時に米国で開催されている展示会「CES 2023」で、1700V耐圧のEliteSiC MOSFETと、2つの1700Vアバランシェ定格EliteSiCショットキーダイオード（SBD）を発表した。いずれの製品もエネルギーインフラや産業用ドライブアプリケーション向けに展開する。

1200V、40Aのテスト条件で200nCのゲート電荷

EliteSiC MOSFET「NTH4L028N170M1」［クリックで拡大］ 出所：onsemi

　EliteSiCファミリ製品として展開する1700V耐圧のEliteSiC MOSFET（型番：NTH4L028N170M1）は、高電力産業用アプリケーションに求められる高ブレークダウン電圧（BV）1700Vを実現。1200V、40Aのテスト条件で200nCのゲート電荷（Qg）を達成し「300 nCに近い同等の競合デバイスに比べて、市場をリードしている」（同社）とする。

　最大Vgs範囲は−15V／25Vで、ゲート電圧が最大−10Vになる高速スイッチングアプリケーションに最適で、システムの信頼性向上を実現するという。

　1700Vアバランシェ定格EliteSiC SBD2種（型番：NDSH25170A／NDSH10170A）は、SiCによって可能になる高い効率を提供しながら、高温時でも安定した高電圧動作を実現。BV定格1700Vにおいてダイオードの最大逆電圧（VRRM）とピーク繰り返し逆電圧間のマージンが向上している。最大逆電流（IR）が25℃時に40μA、175℃時に100μAという逆方向リーク性能を実現し「25℃時定格100μAが一般的な競合デバイスに比べて大幅に優れている」（同社）としている。