ニュース
ローム、LiDAR用高出力レーザーダイオードを開発:波長の温度依存性は66%減少
ロームは、LiDAR用120W高出力レーザーダイオード「RLD90QZW8」を開発、サンプル出荷を始めた。レーザー波長の温度依存性を一般品に比べ66%も減少させたことで、長距離測定が可能となる。
発光幅の97%で均一な発光強度を実現、LiDARの高精細化に対応
ロームは2023年9月、LiDAR用120W高出力レーザーダイオード「RLD90QZW8」を開発、サンプル出荷を始めた。レーザー波長の温度依存性を一般品に比べ66%も減少させたことで、長距離測定が可能となる。
RLD90QZW8は、独自の素子開発により、レーザー波長の温度依存性をΔ11.6nm(平均0.10nm/℃)まで抑えた。これにより、搭載したLiDARで長距離検知が可能となった。しかも、発光幅270μmにおいて、97%に相当する264μm幅の領域で均一な発光強度を実現したことで、LiDARの高精細化にも対応できるという。高い電力光変換効率(OCE)も達成した。
RLD90QZW8は、直径5.6mmのCANパッケージで供給する。サンプル価格(税別)は3500円。AGVやロボット掃除機などの用途に提案していく。サンプル品は、コアスタッフオンラインやチップワンストップといったオンライン商社からも購入できる。なお、AEC-Q102に準拠した車載対応の製品開発も進めており、2024年後中にも製品化の予定。
ロームは、顧客がRLD90QZW8の評価や導入を迅速に行えるよう、公式サイト上で設計データを無償公開している。同社製EcoGaNシリーズの150V GaN HEMTや、ゲートドライバを組み合わせたリファレンスデザイン「REFLD002」なども用意した。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
- 「性能を最大限引き出す」、ローム初のGaN SiP詳細
ロームが、650V耐圧GaN HEMTとゲート駆動用ドライバーを1パッケージ化したパワーステージICを発表した。同社初のGaN SiPで、シリコンMOSFETから置き換えた場合、部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できるという。 - ローム、宮崎にSiCパワー半導体の新工場開設へ
ロームが、SiCパワー半導体の新工場を宮崎県に開設する計画を発表した。ソーラーフロンティアの旧国富工場を取得する予定で、同社の主力工場として2024年末の稼働開始を目指す。 - ローム、EV用SiC供給で7年1300億円の長期契約獲得
ロームとVitesco Technologiesは2023年6月19日、EV(電気自動車)向けSiC(炭化ケイ素)パワーデバイスの長期供給契約を締結した。取引額は、2024年から2030年までの7年間で1300億円以上になる見込みだ。 - ロームがGaNパワー半導体で急加速、SiCに続く軸に
ロームが、GaNパワー半導体の展開を急加速している。同社は、パワーエレクトロニクスの国際展示会「PCIM Europe 2023」においてGaN製品を大きくアピールし、SiCを含めたWBG(ワイドバンドギャップ)市場での拡大に向けた意欲を示していた。 - ローム、650V耐圧GaN HEMTの量産を開始
ロームは、業界トップクラスのデバイス性能指数を実現した650V耐圧GaN(窒化ガリウム)HEMTの量産を始めた。サーバやACアダプターなどの電源システムに向ける。 - ローム、低オン抵抗のNチャネルMOSFETを発表
ロームは、高い電源効率を実現できる耐圧40〜150VのNチャネルMOSFET「RS6xxxxBx/RH6xxxxBxシリーズ」を発表した。産業機器用電源や各種モーター駆動の用途に向ける。