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トッパンフォトマスクとIBM、2nm向けEUVフォトマスクを共同開発へ次世代半導体の量産に向け

トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所(米国ニューヨーク州)と、トッパンフォトマスクの朝霞工場(埼玉県新座市)で研究開発を行う。

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両社が持つ材料技術と製造プロセス制御技術を融合

 トッパンフォトマスクとIBMは2024年2月7日、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUV(極端紫外線)フォトマスク」を共同開発すると発表した。契約の期間は2024年2月から5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所(米国ニューヨーク州)と、トッパンフォトマスクの朝霞工場(埼玉県新座市)で研究開発を行う。

 先端半導体の量産には、「ArFエキシマレーザー」を光源とする露光技術が用いられている。2nmノード以細の次世代半導体量産には、高NA(開口数)EUVを含むEUV露光技術が必要となる。そして今回、両社が持つ材料技術と製造プロセス制御技術を融合し、次世代半導体の量産に向けたEUVフォトマスクを共同開発することにした。

EUVフォトマスクの外観
EUVフォトマスクの外観[クリックで拡大] 出所:トッパンフォトマスク

 トッパンフォトマスクとIBMはこれまで、45nmノードを皮切りに、32nmや22/20nm、14nmといった各世代における先端半導体用フォトマスクや、初期段階のEUVフォトマスクを共同で開発してきた。次世代の半導体向けEUVフォトマスクについても、両社で共同研究を行うことにした。

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