車載および産業向けの750V耐圧 SiCパワーMOSFET新製品、Infineon:システムの効率化やコスト削減に貢献
Infineon Technologiesは2024年2月27日(ドイツ時間)、車載および産業向けのSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」(同社)とするRDS(on)× Qfrおよび高いRDS(on) × Qoss性能指数を実現し、システムの効率化やコスト削減に貢献する。
Infineon Technologiesは2024年2月27日(ドイツ時間)、車載および産業向けのSiC(炭化ケイ素)パワーMOSFET新製品「CoolSiC MOSFET 750V G1」シリーズを発表した。「クラス最高」(同社)とするRDS(on)× Qfr(オン抵抗・順回復電荷)および高いRDS(on) × Qoss(オン抵抗・出力電荷)性能指数を実現し、ハードスイッチングトポロジーとソフトスイッチングトポロジーのそれぞれで高効率を発揮するとしている。
CoolSiC MOSFET 750V G1シリーズは、高い閾値電圧(ゲート閾値電圧:代表値:4.3V)と低いQGD/QGS比を独自に組み合わせることで寄生ターンオンに対する高い堅牢性を確保。ユニポーラゲート駆動を実現して電力密度を高め、システムコスト削減を実現するという。
同シリーズは25℃動作時のRDS(on)が8m〜140mΩまで幅広く対応する製品を用意している。また、独自の設計によって導通損失やスイッチング損失を削減したため、システム全体の高効率化にも貢献する。パッケージは、最先端のQDPAK 上面放熱(トップサイド冷却、TSC)を採用した。車載用途向けには、QDPAK TSC、D2PAK-7L、TO-247-4を用意し、産業用途向けにはQDPAK TSC、TO-247-4を用意している。
主なアプリケーションは、車載充電器(OBC)、DC-DCコンバーターといった車載用途の他、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、産業用駆動装置などの電力/産業用途を想定している。
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