ロームとInfineon、SiCパワー半導体のパッケージ共通化で協業：シリコンやGaNへの協業拡大も計画

ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。

[永山準，EE Times Japan]

　ロームとInfineon Technologies（以下、Infineon）は2025年9月25日、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージに関する協力体制構築について覚書を締結したと発表した。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。

ロームとInfineonから互換性のある製品の調達が可能に

　将来的に、両社から互換性のある製品の調達が可能になるといい、両社は「ユーザーニーズに応じて、製品を併用するほか、切替も容易になる。今回の協業によってユーザーの設計や調達における利便性向上に貢献する」と述べている。

Infineonのグリーンインダストリアルパワー事業部プレジデントであるPeter Wawer氏（左）とロームの取締役 常務執行役員 パワーデバイス事業担当の伊野和英氏 出所：ローム

　この協業の一環として、ロームはInfineonのSiC向けトップサイド冷却プラットフォーム（TOLT、DDPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual、H-DPAKパッケージを含む）を採用する。このプラットフォームは、全パッケージで高さを2.3mmに標準化していて、設計の容易化、冷却システムのコスト削減に加え、基板スペースの有効活用や、最大2倍の電力密度向上を可能にするものだ。

　同時にInfineonはロームのハーフブリッジ構成のSiCモジュール「DOT-247」を採用し、互換性のあるパッケージを開発する。これによりInfineonが新たに発表したDouble TO-247 IGBTラインアップに、SiCハーフブリッジソリューションが追加される。ロームのDOT-247は、2つのTO-247パッケージを連結した独自構造を採用したもので、TO-247比で熱抵抗を約15％、インダクタンスを50%低減。これらの特長からTO-247の2.3倍の電力密度を達成している。

　ロームとInfineonは今後、シリコンやSiC、窒化ガリウム（GaN）などさまざまなパッケージについて協業を拡大する計画だ。

　ロームの取締役 常務執行役員 パワーデバイス事業担当の伊野和英氏は「ロームは顧客に最適なソリューションを提供することを使命としている。Infineonとの協業は、ソリューションのポートフォリオを拡充するもので、その実現に向けた大きな一歩となる。協業によりイノベーションを推進するとともに複雑さを低減し、顧客満足度をさらに高めることで、パワーエレクトロニクス業界の未来を切り拓いていきたい」とコメントしている。

　Infineonのグリーンインダストリアルパワー事業部プレジデントであるPeter Wawer氏はロームとの協業を通じて、SiCパワーデバイスの普及をさらに加速できることをうれしく思う。本協業によって、顧客は設計／調達の各プロセスにおいて、より幅広い選択肢と柔軟性を得られるとともに、脱炭素化を推進する高効率アプリケーションの開発が可能になる」と述べている。