SiCウエハー加工からパッケージ技術まで網羅――「パワーエレクトロニス イニシアチブ」を開催！：2025年12月4日（木）／視聴無料

EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。

[EE Times Japan]

　産業機器や自動車の省エネに直結する基幹技術であるパワーエレクトロニクス。カーボンニュートラルを実現するためのキーテクノロジーとして大変重要ですが、近年、国内メーカーは市況や国際競争環境において、厳しい局面にさらされています。

　本イベントは、そうした現状を受け止めつつ、そこからもう一歩踏み出すための“突破口”を探ることを狙いとして、企画しました。

　デバイス／モジュールだけでなく、炭化ケイ素（SiC）ウエハー加工プロセスと最新パッケージ技術まで網羅しています。次世代パワーデバイスの開発や社会実装を進めるためのヒントになれば幸いです。

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基調講演のご紹介

・基調講演1　13:00〜13:40

長岡技術科学大学 技術科学院 教授　伊東淳一氏

「WBGパワーデバイスだけに頼らない電力変換器の高パワー密度化技術」

電力密度の向上は、パワーエレクトロニクスに常に要求される項目の一つです。次世代パワーデバイスの採用ももちろん重要な手段ですが、それ以外にも、制御回路／トポロジーで工夫できることは多数あります。伊東教授が詳細を解説します。

・基調講演2　14:30〜15:10

名古屋大学 未来材料・システム研究所 教授　山本真義氏

「電動車（xEV）におけるGaNパワー半導体の応用可能性とそのシステムインパクト」

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスは民生品のみならず、自動車やデータセンターでの採用が増えつつあります。山本教授が、GaNパワーデバイスのアプリケーションの最前線と、GaNパワーデバイスを取り巻く競争環境について語ります。

・基調講演3　15:20〜16:00

東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター 教授　高橋良和氏

「WBG半導体 活用の鍵を握る「パッケージ技術」の最前線」

パワーエレクトロニクスの主役は半導体（デバイス）だけではありません。モジュールやパッケージも進化してこそ、システム全体の性能向上につながります。次世代パワーデバイスを生かすためには、どのようなモジュール／パッケージ設計が必要になるのか。高橋教授が解説します。

・基調講演4　16:10〜16:50

産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター ウェハプロセス研究チーム 研究チーム長　加藤智久氏

「SiCパワーデバイスの進化の鍵を握るウエハー製造技術 〜市場動向と今後の技術戦略〜」

SiC／GaNパワーデバイスでは、材料やウエハー加工も重要になります。中国のプレイヤーの存在感も高まっている中、日本のウエハー加工プロセスの研究はどこまで進んでいるのか。同分野を取り巻く競争環境にも触れながら、産総研の加藤氏がお伝えします。

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　無料でご視聴いただけます（アイティメディアIDの登録が必要になります）ので、ぜひ詳細をチェックしてみてください。皆さまのご参加をお待ちしております。