onsemiがGaN市場トップの中国Innoscienceと協業 26年にサンプル出荷：200mm GaN on Siプロセス

onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。

[永山準，EE Times Japan]

　onsemiは2025年12月2日（米国時間）、中国Innoscienceと窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結したと発表した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。

出所：Innoscience

40〜200V領域で、高コスト効率／高性能な製品展開へ

　MOUは非拘束の合意ではあるが、ウエハー調達や高度な協力関係を含む、onsemiのGaNパワーソリューションとInnoscienceのウエハー製造技術を組み合わせた戦略的パートナーシップの概要を定めたものだ。Innoscienceの200mm GaN-on-シリコン（Si）を活用し、40〜200Vの低／中耐圧領域を軸にGaNパワーデバイスの展開加速および顧客の採用拡大の機会を探る。

　GaNパワーデバイスは高速スイッチング、小型化、低損失といった利点によってより省スペースかつ高い電力密度を実現が可能なことから、幅広い分野での活用が加速している。ただ、両社は低／中耐圧領域について「これまで製品の選択肢や製造能力の制約が、GaNの採用を拡大を遅らせてきた」と説明。今回の協業を通じてこれらの障壁を克服し、AIデータセンターや車載、産業など各市場に向け、コスト効率が高く高性能なGaNソリューションを迅速に量産／グローバル展開することを目指すとしている。

　onsemiは、協業によって同社のシステムにおける知見とInnoscienceのGaN技術／製造プロセスを組み合わせ、迅速なプロトタイピングやデザインイン、主流市場への迅速な参入が実現できるとしている。また、onsemiのグローバルな統合およびパッケージング経験とInnoscienceのGaN製造能力を活用することで、大規模生産への確実な対応を可能とする他、最適化されたパッケージ、部品点数の削減、簡素化された熱管理によって、よりコンパクトな設計とシステム全体のコスト低減も実現できるという。

　onsemiのコーポレート戦略担当ヴァイスプレジデントであるAntoine Jalabert氏は「あらゆる分野で電力需要が高まる中、GaNは他材料と比較して高効率／小型化／低エネルギー損失を実現する。これまで低／中耐圧領域ではコストと供給制約が普及を阻んできた。Innoscienceとの協業によって、業界最大級のGaN生産基盤を活用し、世界中の顧客向けにGaN製品群を迅速に拡大し、主流電力アプリケーションでの広範な採用を可能にする」と述べている。

　Innoscienceは「世界最大級」（同社）の200mm GaN on Siウエハー製造能力を有するGaNに特化した垂直統合型デバイスメーカー（IDM）で、2024年のGaNパワーデバイス市場でもシェアトップを獲得した主要メーカーだ。onsemiは2025年10月30日（米国時間）にもGaN-on-GaN技術の縦型GaNパワー半導体を発表し、700Vと1200V品の展開を進める方針を示すなど、現在GaNパワーデバイス分野の取り組みを強化している。