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TSMCが2nmプロセス量産を開始、台湾2工場で：計画通り2025年中に
TSMCは2025年第4四半期（10〜12月）、計画通り2nmプロセス（N2）の量産を開始した。台湾のFab 20およびFab 22が量産拠点だ。同社のWebサイトで明らかにした。
TSMCは2025年第4四半期（10〜12月）、計画通り2nmプロセス（N2）の量産を開始した。台湾のFab 20およびFab 22が量産拠点だ。同社のWebサイトで明らかにした。
N2は、第1世代のナノシートGAA（Gate-All-Around）トランジスタ採用によって、電力効率／性能の強化を実現。低抵抗再配線層（RDL）と超高性能金属-絶縁体-金属（MiM）コンデンサーを開発し、性能をさらに高めている。2nmのトランジスタ密度は、前世代プロセスである3nmと比べて1.15倍向上。2nm技術は3nmノードと比較すると、同じ電力レベルでは性能が10〜15％上がり、同じ性能レベルでは消費電力量を25〜30％削減できるという。
TSMCは「N2は集積密度とエネルギー効率の両面で半導体業界最先端の技術と位置付けられる。最先端のナノシートトランジスタ構造の採用によって、フルノードの性能と電力効率を実現し、高まる省エネルギーコンピューティング需要に対応する。継続的な技術強化戦略のもと、N2およびその派生技術は、TSMCの技術リーダーシップを将来にわたりさらに拡大していく」と説明している。
TSMCのロードマップでは、2026年後半にはN2の改良版のN2Pおよび、1.6nm世代プロセス（A16）を、さらに2028年には1.4nm世代プロセス（A14）を量産予定だ。
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