東芝D＆Sがパワー半導体新製品、AIデータセンター高効率化に：80V耐圧NチャネルパワーMOSFET

東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

AIデータセンターなどに向けたスイッチング電源の効率を改善

　東芝デバイス＆ストレージ（東芝D＆S）は2026年6月、AIデータセンターや通信基地局用機器に搭載されるスイッチング電源に向けた80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「TPM1R408RH」を開発、出荷を始めた。

TPM1R408RHの外観［クリックで拡大］ 出所：東芝D＆S

　新製品は、「U-MOS11-H」と呼ぶ次世代プロセスを採用した。素子構造を最適化したことで、ドレイン−ソース間のオン抵抗（R_DS（ON））を最大1.4mΩ（V_GS：10V）に抑えた。従来プロセスの既存製品に比べ約26％の削減となる。また、R_DS（ON）とゲート入力電荷量（Q _g）のトレードオフを改善した。既存製品に比べR_DS（ON）×Q _gを約45％低減するなど、業界トップクラスの低損失を実現した。

　さらに、スイッチング時にドレイン−ソース間で発生するスパイク電圧を低減したことで、スイッチング電源の低EMI化が可能となる。フィルターやスナバ―回路の簡素化にもつながるという。パッケージは、外形寸法が4.9×6.1×1.0mmのSOP Advance（E）を採用した。従来のSOP Advance（N）に比べパッケージ抵抗を約65％、熱抵抗を約15％それぞれ低減した。

　回路設計をサポートするため、SPICEモデル（G0モデル）に加え、高精度SPICEモデル（G2モデル）も用意した。パワー半導体の過渡特性をより正確にシミュレーションできる。東芝D＆SのWebサイト内にあるオンライン回路シミュレーターを活用すれば、ブラウザ上で手軽に動作検証が行える。

左図はドレイン−ソース間のオン抵抗を比較、右図はドレイン−ソース間オン抵抗×ゲート入力電荷量の比較［クリックで拡大］ 出所：東芝D＆S