富士電機、第2世代SiC-SBDシリーズを発売 東芝、次世代パワー半導体向けドライバーICを開発 TIのGaN技術とMCUを搭載したデータセンター向けサーバ電源 SiC-MOSFETの性能が6〜80倍に、トレンチ型に応用可能 パワー/化合物半導体生産能力、23年に月1000万枚超へ パワーモジュール、車載インバーター向けに最適化