ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（5）〜インプリント装置の開発ロードマップ：SEMICON West 2015リポート(12)（3/3 ページ）

今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。

[福田昭，EE Times Japan]

第1世代機「FPA-1100NZ2」と第2世代機「FPA-1200NZ2C」

　講演者のResnick氏は、第1世代機「FPA-1100NZ2」が実際の半導体リソグラフィ工程で稼働している様子と、第2世代機「FPA-1200NZ2C」の概要を示した。第1世代機「FPA-1100NZ2」はNANDフラッシュメモリへの適用を想定してテストを重ねている。第2世代機「FPA-1200NZ2C」は、クラスタ構成の装置を組み立てているところだという。

第1世代機「FPA-1100NZ2」の外観と概要 （クリックで拡大）

第1世代機「FPA-1100NZ2」が1Xnm世代のNANDフラッシュメモリ向けに稼働している様子 （クリックで拡大）

第2世代機「FPA-1200NZ2C」の外観と概要。目標仕様は、寸法ばらつき（平行な直線群パターン）が1.3nm、所要電力が90kW、設置面積が30m²など （クリックで拡大）

第2世代機「FPA-1200NZ2C」の要素技術を構成するユニット群 （クリックで拡大）

　またハーフピッチ15nmを解像したときの、製造コストを比較してみせた。比較したのはナノインプリント技術とArF液浸SAQP技術、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術、EUVリソグラフィ技術である。製造コストが最も低いのがナノインプリント技術、製造コストが最も高いのが、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術となっていた。

ArF液浸SAQP技術、EUVリソグラフィとArF液浸SADPの混在技術、EUVリソグラフィ技術、ナノインプリント技術のコスト比較 （クリックで拡大）