GaN素子単体でノーマリーオフ、2017年に投入へ：トランスフォームが開発中（2/2 ページ）
トランスフォーム・ジャパンは現在、単体でノーマリー・オフ動作するGaNパワー素子を開発中だという。2017年には本格的に市場に投入する予定だ。ノーマリー・オフ動作を実現するために、MOSFETとカスコード接続するといった手法をとる必要がなくなる。
日本は“様子見”のメーカーが多い
同社によると、現在、GaNパワー半導体の採用には中国・台湾・韓国が積極的だという。日本はどちらかというと“様子見”の姿勢を示すメーカーが多いようだ。市場としてはこれから大きく分野であり、トランスフォーム・ジャパンも「GaNパワー半導体の日本市場はあと2〜3年すれば大きく伸び始める」とみている。まずは太陽光発電システムなどに使われるパワーコンディショナーや家電・サーバ向けの一般電源から、GaNパワー半導体の採用が始めり、その次が自動車だという。「自動車に採用され始めれば、日本と欧州でGaNパワー半導体市場が一気に成長するのではないか」（同社）。
なお、Transphormは2015年6月、米国の投資ファンド大手であるKKR（コールバーグ・クラビス・ロバーツ）が率いる投資コンソーシアムから7000万米ドルの投資を受けたと発表した。トランスフォーム・ジャパンは「この投資を受けたことは、資金面で大きかった。それだけGaNの技術が期待されているということ」と述べている。
Transphormとトランスフォーム・ジャパン、富士通セミコンダクターは2015年1月に、福島県会津若松市にある富士通セミコンダクターグループのCMOSプロセス互換150mmウエハー製造ラインにおいて、電源用GaNパワー半導体の量産を開始したと発表した。それから間もなく1年だが、「量産規模は公表していない」（トランスフォーム・ジャパン）としながらも、中国・台湾向けを中心に量産規模は順調に拡大しつつあるようだ。CMOSプロセス互換の製造ラインを使用していることから、量産規模の拡大にも対応しやすいという。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
関連記事
SiCには勝てる！ 欧米も注目する“第3の次世代パワーデバイス”の国内開発プロジェクトが今春スタート
情報通信研究機構（NICT）は、2014年4月をメドに次世代パワーデバイス材料の1つである酸化ガリウムを使ったデバイスの実用化を目指した本格的な開発プロジェクトを発足させる。国内電機メーカーや材料メーカー、半導体製造装置メーカー、大学などと連携して2020年までに酸化ガリウムパワー半導体デバイスの実用化を目指す。
寿命「30億年」に「10年」が挑む
次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びるSiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）。SiCパワー半導体を利用したシステム製品も登場しており、次は自動車への採用に期待が掛かる。だが、SiCにはまだまだ課題が残っていた。その1つが寿命だ。
LEDを一新した「GaN」、次は電力を変える
SiC（炭化ケイ素）と並んで次世代パワー半導体の旗手として脚光を浴びる「GaN」（窒化ガリウム）。しかし、実用化が進むSiCと比べて、GaNの開発は遅れているように見える。GaNを採用すると、SiCと同様に電力変換時の損失を低減できる。さらに、SiやSiCよりも高速なスイッチングが可能だ。これは電源の小型化に大いに役立つ。しかし、ノーマリーオフ動作が難しいという欠点もある。こちらは電源には向かない特性だ。GaNの長所を伸ばし、欠点をつぶす、このような開発が進んでいる。
パナソニックとインフィニオン、GaNパワー半導体で協業
パナソニックとインフィニオン テクノロジーズは、GaN（窒化ガリウム）パワーデバイスを共同開発することで合意したと発表した。