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3D NANDフラッシュの物理解析が進む：福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（3）（3/3 ページ）
今回はセッション4〜6の講演を紹介する。セッション4では、人間の脳をモデルにした計算アーキテクチャなどが焦点となる。セッション5では3D NAND型フラッシュメモリ関連の発表が行われ、セッション6ではIGZO材料による20nmノードの高周波FETなどが発表される予定だ。
IGZO材料による高周波薄膜トランジスタ
セッション6（ディスプレイとイメージング）のテーマは、「薄膜トランジスタの集積化」である。このセッションでは、東芝が多結晶シリコンのナノワイヤによる高性能トランジスタの試作結果を発表する（講演番号6.1）。ナノワイヤの結晶粒界の低減と結晶粒内の欠陥減少、表面粗さの低減によって高いキャリア移動度を達成した。また半導体エネルギー研究所は、IGZO（InGaZn酸化物）材料による20nmノードの高周波FETを発表する（講演番号6.5）。オフ状態の電流が極めて低いことを特長とする。
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